半导体二极管三极管来料检验规程
集团标准化工作小组Q8QX9QTX8QQB8Q8NQ8QJ8M8QMN
f电子元器件来料检验规程（一）
半导体晶体管部分
1内容
本规程规定了本公司常用半导体二极管、三极管、达林顿晶体管、绝缘栅双极
晶体管
（IGBT）来料检验的抽样方式、接收标准、检验测试方法和所用测试仪器等具体要求。2范围
本规程适用于本公司常用半导体二极管、三极管、达林顿晶体管、绝缘栅双极晶体管（IGBT）来料检验和验收。3引用标准
计数抽样检验程序第一部分：按接收质量限（AQL）检索的逐批检验抽样计划GB2421电工电子产品基本环境试验规程总则
电工电子产品基本环境试验规程试验Cb：恒定湿热试验方法GB2421电工电子产品基本环境试验规程试验N：温度变化试验方法电工电子产品应用环境条件贮存4检验测试设备和测试方法测试设备：DW4824型晶体管特性图示仪（或QT2型晶体管特性图示仪等）
测试大功率晶体管专用转接夹具、插座或装置数字万用表、不锈钢镊子等应手工具晶体管特性图示仪、数字万用必须经检定合格并且在计量检定的有效期内。人员素质：能熟练操作使用晶体管特性图示仪进行各种半导体器件参数测试，工作态度严谨、细心，持有检验测试操作合格证或许可证。测试准备：晶体管特性图示仪每次开启，必须预热五分钟。检查确认图示仪的技术状态完好方能进行测试。每种器件在测试前都要做外观检查：管脚应光洁、明亮，管身标志清晰、无划痕，封装尺寸应符合订货要求。绝缘栅N沟道双极晶体管IGBT主要测试参数：IGBT的特性曲线IGBT的饱和压降VCESIGBT的栅极阈值电压VGE（th）IGBT的击穿电压VCER测试方法：现将上述特性参数的测试方法分述如下。测IGBT的输出特性曲线
f按附表1“常规测试输出特性曲线”栏、测IGBT的要求，调整晶体管特性图示仪各选择开关的档位。正确连接相应的IGBT测试夹具、插座或装置，检查连接无误后，接入待测的IGBT，图示仪即显示一簇该IGBT的输出特性曲线。
该线簇应均匀、平滑、无畸变，为合格（如图1a所示）。否则为不合格（如图1b所示）。
图1测IGBT的饱和压降VCES
在特性曲线中选择VGE的一条曲线，它与IC直线的交点所对应的VC电压值就是所测试的IGBT在VGE、IC时的饱和压降VCES。
VCES＜为合格。否则为不合格。测IGBT的转移特性曲线
按附表1“常规测试转移特性曲线”栏、测IGBT的要求调整晶体管特性图示仪各选择开关的档位。正确连接相应的IGBT测试夹具、插座或装置，检查连接无误后，接入待测的IGBT，图示仪即显示一簇该IGBTr