的转移特性曲线。
该线簇应当是一组幅度由小到大的、等间距的竖直线段。这些线段的一端在X轴上，另一端连接起来应当是一条平滑的曲线。
测IGBT的栅极阈值电压VGE（th）观测特性曲线与IC1mA直线的交点所对应的VBE电压值，就是该IGBT在该测试温度下
的栅极阈值电压VGE（th）。此时VBEVGE（th）。所测得的VGE（th）在该IGBT的标称栅极阈值电压范围内为合格。否则为不合格。
测IGBT的击穿电压VCER按附表1“击穿电压测试”栏、测IGBT的要求，调整晶体管特性图示仪各选择开关
的档位。接入待测的IGBT并使栅极悬空，使峰值电压由0V缓慢增加，观测特性曲线的形状及击穿点电压，此电压在该IGBT的标称击穿电压范围内为合格。否则为不合格。
注意：操作人员应避免直接接触高压电极，并且每测试完一只IGBT的击穿电压，都要将“峰值电压调节”旋钮调节回0，以保障人员和设备安全。
达林顿大功率NPN晶体管主要测试参数：达林顿晶体管的共射输出特性曲线达林顿晶体管的饱和压降BVCES达林顿晶体管的共射极电流放大系数β达林顿晶体管的反向击穿电压BVCE0测试方法：现将上述特性参数的测试方法分述如下。
测达林顿晶体管的共发射极输出特性曲线按附表1“常规测试输出特性曲线”栏、测达林顿晶体管的要求，调整晶体管特性
图示仪各选择开关的档位。正确连接相应的达林顿晶体管测试夹具、插座或装置，检查连接无误后，接入待测的IGBT，图示仪即显示一簇该达林顿晶体管的共发射极输出特性曲线。
该线簇应均匀、平滑、无畸变，为合格（如图2a所示）。否则为不合格（如图2b所示）。
图2测达林顿晶体管的饱和压降BVCES
f观测达林顿晶体管的共发射极输出特性曲线IC6A的直线与饱和区某一特性曲线的交点所对应的VCE值，就是该测达林顿晶体管在基极注入电流足够大且集电极电流IC6A时的饱和压降VCES。
观测到的VCES值在该达林顿晶体管的标称饱和压降范围内为合格，否则为不合格。测达林顿晶体管的共射极电流放大系数β
观测达林顿晶体管的共发射极输出特性曲线IC6A的直线与放大区某一特性曲线的交点所对应的IB值，即可粗略地计算出在该工作点对应的共发射极电流放大系数β
β（～）ICIBβ值在该达林顿晶体管的标称电流放大系数范围内为合格，否则为不合格。测达林顿晶体管的反向击穿电压BVCE0
按附表1“击穿电压测试”栏、测达林顿晶体管的要求，调整晶体管特性图示仪各选择开关的档位。接入待测的达林顿晶体管并使基极悬空，使峰值电压由0V缓慢增加，观测特性曲线的形状r