分组成，其中研磨剂一般包括纳米级二氧化硅（SiO2）、纳米级三氧化二铝（Al2O3）、纳米级氧化铈（CeO2）。其他添加剂一般根据所需研磨材料不同而所选取的不同类型的研磨液，由此可分为晶圆表面研磨液、金属铜研磨液和金属钨研磨液以及其他特殊研磨液。当今的研磨液配方类型中，SiO2占有主流位置，Al2O3仅仅在金属钨的研磨液中存在有限使用，究其原因是其硬度过高，易造成表面缺陷。
图5：CMP抛光液示意图
资料来源：集成电路材料和零部件产业技术创新战略联盟官网，
f2018年CMP研磨材料行业分析报告
晶圆表面研磨液的一种选用SiO2的溶胶与去离子水混合配置成研磨剂，利用一定体积分数的双氧水（H2O2）作为氧化剂，利用乙酸（CH3COOH）和乙胺C2H5NH2缓冲溶液作为稳定剂调价PH值。从而配置成晶圆表面的研磨液。晶圆研磨过程中的原理为碱性的SiO2浆料中，晶圆表面的Si受氢氧根离子（OH）腐蚀后生成硅酸根离子（SiO32），SO32水解过程中形成的动态平衡实现产物硅酸（H2SiO3）的能部分聚合城多硅酸粒子从而形成胶体，由于此动态平衡过程受PH值影响很明显，因此晶圆表面的研磨液作用效果受PH值得明显影响。同时，在研磨过程中，硅酸胶体在晶圆表面形成一层钝化薄膜，H2O2的浓度和含量影响钝化薄膜的机械除膜速率和钝化膜的生长速率，同时H2O2含量高时，会与配方中的碱性物质发生反应从而降低PH值，因此也是一个动态平衡的过程。除以上因素外，温度控制是影响反应活性的外界参数，控制合理的温度配合事宜的PH值和氧化剂浓度能够实现研磨中化学腐蚀的最佳效果。但是，化学腐蚀与机械研磨的共同作用决定了研磨效果，因此机械作用中研磨垫、研磨压力、转速和时间均决定了最终的研磨效果。在晶圆表面研磨液中SiO2浆料是整个配方成分的核心，目前处于国外企业垄断中。其合成方法包括分散法和凝聚法分散法的过程包括二氧化钛纳米颗粒在液体中润湿、团聚体在机械搅拌力作用下被打散成原生粒子或较小的团聚体、稳定原生粒子或较小团聚体组织发生再团聚。1992年，美国卡博特（CabotCorporatio
）公司的Hector首先公布了不含稳定剂的SiO2浆料及其制备方案专利，此发明提供了一种稳定的，非膨胀的，低粘度的，可过滤的SiO2胶体浆料，其中不含碱和稳定剂，其含硅比重高达35。1993年，Cabot公司的Miller跟进公布了含酸和稳定剂的SiO2浆料的发明专利，此发明提供了更高的硅比重达到40，酸比例在00025050之间，同时配方中含有的稳定剂r