代芯片工艺的核心技术早在80年代就已经开始理论性的研究和进入初步实验的阶段到了芯片工艺制作高速发展的时期业界在微缩过程中面临的各种困境进一步加快了光刻技术的研发进度1997年由I
telAMDMicro
MotorolaSVGLUSALASML组成极紫外有限公司EUVLLC和在加州的三个国家实验室参加共同研发波长为13
m的极紫外EUV光刻机样机2001年4月在加州Livermore的Sa
dia国家实验室推出的样机被视为光刻的一个重要里程碑极紫外光刻技术是以波长为1014纳米的极紫外光作为光源虽然该技术最初被称为软X射线光刻但本质上与光学光刻十分相似只是在材料的强烈吸收中存在差异极紫外光刻技术的光学系统必须采用反射形
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f式极紫外线光刻系统主要由四部分构成包括有极端紫外光源反射投影系统光刻模板mask以及能够用于极端紫外的光刻涂层photoresist但是由于不能跟目前的光学光刻机械兼容所以无论是哪个部分传统的光刻工艺都需要重新设计在已经设计出来的光刻样品机中光刻机的光源是几个研究单位联合研制的由于极紫外线光源非常难设计所发出的13纳米的波长太短它几乎会被绝大多数的材料吸收包括空气传统的光刻透射投影设备等使得研制捕获这种光的装置十分困难反射镜光学表面为非球面表面形貌及粗糙度小于一个原子所有光学元件表面涂有达40层的多层反射层每层厚约λ4控制在01埃精度EUV光刻采取新的环境控制来抑制沾污短波长无缺陷掩模制作难度极大样机采用纳米级精度无摩擦的磁悬浮工作台据EUVLLC项目经理ChuckGwy
介绍样机是第一步下一步要研制生产机型为今后几年的生产做准备现在更多用户表示要采用并希望参与其中光刻技术的市场前景乐观英特尔公司估计极紫外光刻技术将使一个芯片能够包含4亿个晶体管它比目前的P4CPU的4200万个晶体管要多出10倍利用这种技术半导体厂商可以在芯片上蚀刻的线路等级将低于目前的01微米甚至可以达到003微米的水平从而大大改进芯片的制作工艺但是随着芯片制造工艺迎来的后光学时代极紫外光刻技术的成熟运用将会使光刻技术脱胎换骨使我们的芯片工艺能够生产出比今天的芯片快100倍以上的新芯片半导体产业仍遵循Moore定律即芯片集成度18个月翻一番每三年器件尺寸缩小07倍的速度发展现在片径已达300mmDRAM半节距已达150
mMPU栅长达100
m为适应技术要求半导体光刻技术仍将不断地探索和研发新的技术成果必将会不断出现6215新的制造工艺晶体管犹如一个小开关可以控制电流的通断但实际上品体r