一代曝光工艺使得曝光工艺不断向新的技术领域发展2141纳米浸入式光刻技术工业化日前有报道指出比利时微电子研究中心IMEC正在加速45纳米以下微电子技术的开发已与世界10大设备供应商签定协议协议的签署使得IMEC能在最先进的设备条件下进行研究与开发根据IMEC所确定的发展战略20032005年研发45纳米CMOS技术20052007年研发32纳米微电子技术193纳米浸入式光刻技术是实现45纳米以下COMS的关键技术在193纳米浸入式光刻技术方面IMEC与世界上30个芯片制造商工具供应商和软件供应商等组成了合作联盟该联盟中IMEC的合作伙伴ASML公司的TWINSCANtmXT1250i是目前世界上浸入工具085含量最高装置IMEC将使用该工具进行曝光印刷新密度为70纳米聚焦深度为07m双方希望通过合作加速光刻技术从干法向湿法的过渡以早日实现193纳米浸入式光刻技术的工业化应用
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f在半导体工业中使用浸入式光刻技术已引起广泛注意人们预测193纳米浸入式光刻技术将取代157纳米光刻技术成为45纳米以下半导体生产的新一代光刻技术早在2003年5月I
tel宣布放弃157纳米光刻机的开发而将采用氟化氩激光器的193纳米光刻机的功能扩展至45纳米节点这也正是浸入式光刻技术取得较好发展的结果数值孔径为093的193纳米的镜头已经可以实现紧随I
tel之后欧洲的ASML日本的Niko
和Ca
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浸入式光刻机计划纷纷出笼尼康公司不久前宣称浸入式光刻技术开发已进入尾声去年年底已把用于65纳米节点的试用机给客户量产机也将于今年年底推出但浸入式光刻仍面临巨大挑战在大于50纳米节点时浸入式光刻的困难在于浸入过程中的除气和过滤以及浸入环境所导致的缺陷的控制在45纳米和更低的节点时浸入式光刻需要研发高折射率的抗蚀剂高折射率的液体和高折射率的光学材料这样才能把浸入式光刻发展到极限另外控制临界尺寸仍然是个棘手的问题对于现已确定的要求还没有可行的方案除此之外我们知道浸入式光刻是指在曝光镜头和硅片之间充满水而不是空气对于193纳米光刻来说水是最佳液体但浸入式光刻技术仍有很多不确定性如对置于水中的硅片和光刻性能带来的影响磨料中水吸附如何进行CD控制模样外形控制等
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2142极紫外光刻前景乐观根据目前技术的发展状况来看光学光刻应用于013微米是完全没有什么大问题不过到了未来当光学光刻技术应用到01微米左右的时候就很有可能到达一个技术极限极紫外光刻ExtremeUltravioletLithography英文解释为极端远紫外光刻被业界认为是下一r