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第36卷第1期1999年2月半导体情报r
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综述r
21世纪初微电子技术发展展望r
赵正平r
电子部第十三研究所石家庄050051r
摘要综述了微电子领域中纳米技术EMSSi和GaAs集成电路微波毫米波器件M及宽禁带半导体技术目前的发展状况在此基础上对其在21世纪初期的发展做了展望关键词纳米技术EMS集成电路宽禁带半导体Mr
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1引言r
收稿日期19980720r
人们刚刚庆祝过晶体管发明50周年就面临跨世纪的时机在此历史时刻预测一下作为现代信息社会的核心技术微电子的发展具有很重要的意义微电子的主流自然是以第一代Si半导体材料为主根据美国的15年半导体技术发展规划到2000年最小设计线宽为0118∧DRAM达到1GbMPU和ASICm集成度分别达到13和7M个晶体管cm2衬M底最大尺寸300mm芯片时钟频率达300～r
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DRAM达到64GbMPU和ASIC集成度分别达到90M和40M个晶体管cm2衬底最大尺r
寸达到400mm由异质结技术所引发的GeSiSi技术在高频高速性能和低成本统一的设想下又开辟出新的领域随着尺寸突破011∧这一10年前人们认为的物理极限后m现在专家们预测在20102020年可以实现纳～米电子学中单原子存储技术和纳米电子学同时伴生以硅材料为基础的微电子机械系统MEMS被人们认为是21世纪的革命性的新r
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600MHz到2010年最小线宽为0107∧mr
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半导体情报第36卷第1期1999年2月向发展半导体技术虽然已有50年的发展历史但在未来20年的发展中仍然生机勃勃支撑着信息社会的进一步发展为各国所关注r
技术对21世纪的科学技术生产方式和人类生活质量都会有深远影响这是第一代半导体材料的全新生命的开始第二代半导r