管并不能完全控制电路因此有许多附加工艺来提高晶体管的性能世界两大微处理器制造商之一AMD公司其新研发的产品Hummer就将使用SOI技术来生产希望以此来提高其产品性能SOI是IBM公司开发成功的芯片制造工艺SOI硅晶片使用一个绝缘层隔离在其上蚀刻电路的硅层来避免电子向下的流动从而使电子的利用率提高进而使整个芯片的工作效率提高同时AMD公司的老对手I
tel公司也在其新一代处理prescott中使用名为变形硅stmi
edsilico
技术它
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f通过在硅片下安放一层特殊的硅锗衬底上层硅原子受到衬底原子的作用而向外运动从而加大了硅原子间的距离它可以有效地扩展晶体管的通道从而大幅度提高电流通过能力3216新的材料随着集成电路制作工艺的进步集成电路互连金属间的介质材料对性能的影响越来越大1999ITRS对芯片的互连金属材料和环绕金属层周边的介电材料提出了苛刻的要求当特征尺寸达到70
m或更小时它要求金属线的有效电阻率小于或等于18cm环绕的介电材料的介电常数K的有效值等于或小于15以往集成电路工艺中广泛使用的介电常数为4的氧化硅和氮化硅溅射介质层已不能适应新一代铜多层互连技术对电路性能的模拟结果说明了低K介电材料的重要优点例如在特征尺寸为50
m时采用铜低K介电材料的微处理器的时钟频率比A1SiO2几乎高一倍超过31GHz因此各大厂商都在寻找新的低K介质材料尤其足在铜互连技术中使用的绝缘介质I
tel司在其新推出的Prescott处理器中就使用了一种新型掺碳氧化物绝缘材料但目前在这一领域仍有大量研究工作要做在寻求合适的低K介质材料的同时科学家们同样在寻找新的高K介质材料在元件尺寸小于01um时栅极绝缘介质层的厚度将减小到3
m以下如果此时仍用SiO2作为栅极绝缘材料栅极与沟道间的间接隧穿将非常严重因此科学家们正努力寻找合适的高K介质材料来取代二氧化硅2002年南京大学中科院物理所和摩托罗拉中国研究所宣布他们发现铝酸镧和镧铝氧氮这两种材料在所有候选的高K介质材料中有最好的热稳定性有希望在65
m以下工艺中取代SiO2322微电子技术发展的新方向随着集成电路技术的发展人们开始从多个方面来发展半导体技术人们会通过许多途径发展微电子技术来满足社会生产的需要而不仅仅局限于提高现有的制作工艺这些途径有SOC技术纳米技术MEMS技术等221正在成长的系统芯片SOC由芯片发展到系统芯片SOCsystemo
chip是改善芯片集成技术的新举措微电子器件的特征尺寸难于按摩尔定律无r