况下芯片上微细的铝互连线的电阻已经成为影响集成电路速度的主要因素几年前IBM公司推出了铜互连技术用铜代替铝作为互连金属被公认为是降低互连线电阻改进集成电路性能的重要方法首先这是因为铜互连线的电阻比起铝互连线来在相同的截面积下可以减小40使用铜互连可以减小芯片上互连线的电阻或者在保持电阻不变的情况下减小互连金属的厚度来减小同一层内互连线间的耦合电容从而降低耦合噪声和互连线的信号延迟其次近几年用于铜互连的双大马士革工艺结构已开发成功它可以在芯片制造中减小几步昂贵的工艺步骤降低制造成本再者在电迁徙方面铜显著优于铝因此当特征尺寸为180
m或更小时铜将代替铝用于芯片制造工艺在今年的SEMI研讨会上IBM公司和I
fi
eo
原西门子公司半导体部发表了CMOS7S和7SF工艺受到广泛关注它采用全集成的ULSICMOS铜互连技术铜互连层可以多到6层这两种工艺的栅长图形上的分别为020m和018m有效沟道长度小于015m和011m对NFET金属接触中心距为063081m对CMOS7S和044046m对CMOS7SF6晶体管的SRAM单元大小仅为68m和48m在肯定铜互连技术优越性的同时有些专家也强调了该技术在材料集成和可靠性方面所面临的挑战因为铜易于扩散入硅和大多数电介质中因此它必须用金属如TaTaN和介质如SiNSiC的扩散阻挡层