模电考研《模拟电子技术基础》童诗白考研复习考点总结
第1章常用半导体器件
11复习笔记本章首先介绍了半导体的基础知识，随后重点阐述了半导体二极管、晶体管（BJT）和场效应管（FET）的工作原理、特性曲线以及主要参数。半导体器件是组成电子电路的核心元件，因此本章内容是整本书学习的重要基础。通过本章的学习，应能熟练掌握常用半导体器件的工作原理、外特性和主要参数，并熟悉半导体相关基础知识，最后需要了解半导体器件的选用原则，为今后的模拟电路分析和设计打下基础。一、半导体基础知识半导体器件是构成电子电路的基本元件，所用的原料是经过特殊加工且性能可控的半导体材料，所以在学习半导体器件之前，需要了解一些半导体的基本名词术语（见表111）。
表111半导体基本名词术语
f二、半导体二极管1二极管的结构和分类（见表112）
表112二极管的结构和分类
2二极管的伏安特性与PN结一样，二极管具有单向导电性，但由于二极管结构上的不同，具体的伏安特性与PN结又有区别（见表113）。
表113二极管的伏安特性
f3二极管的主要参数为描述二极管性能，常引用以下几个主要参数（见表114）。
表114二极管主要参数
4二极管的等效电路二极管的伏安特性具有非线性，这给二极管的应用和分析带来了一定的困难。为了便于分析，常在一定的条件下，用线性原件构成的电路来模拟二极管的特性，并取代电路中的二极管，称为二极管的等效电路，也叫等效模型（见表115）。
f表115二极管等效电路
f5稳压二极管稳压管在反向击穿时，在一定的电流范围内（或者说在一定的功率损耗范围内），端电压几乎不变，表现出稳压特性。关于稳压二极管见表116。
表116稳压二极管
f三、晶体三极管1晶体管的结构晶体管是由两个PN结组成的元器件，分为PNP和NPN两种类型，它的三端分别称为发射极e、基极b和集电极c。2晶体管的电流放大作用使晶体管工作在放大状态的外部条件是发射结正向偏置且集电结反向偏置。晶体管的电流分配关系：
发射区中多数载流子由于扩散运动而大量注入基区，其中仅有很少部分与基区的多数载流子复合，形成基极电流，而大部分在集电结外电场作用下形成漂移电流iC，这里体现出iB对iC的控制作用。3晶体管的共射特性曲线及其工作区（见表117）
f表117晶体管的共射特性曲线及其工作区
4晶体管的主要参数在计算机辅助分析和设计中，根据晶体管的结构和特性，要用几十个参数全面描述。这里只介绍近似分析中最主要r