的参数（见表118）。
表118晶体管的主要参数
f5温度对晶体管参数的影响（1）温度对ICBO的影响：温度每升高10℃，ICBO增大一倍。（2）温度对β的影响：以25℃时测得的β值为基数，温度每升高1℃，β增加约（05～1）。（3）温度对发射结电压UBE的影响：温度每升高1℃，UBE约减小2～25mV。四、场效应管场效应管是利用输入回路的电场效应来控制输出回路电流的一种半导体器件，它仅靠半导体中的多数载流子导电，又称单极性晶体管。1结型场效应管（见表119）
表119结型场效应管
f2绝缘栅型场效应管（1）特性曲线：与结型场效应管一样，MOS管也有可变电阻区、恒流区和夹断区三个工作区域，如图111所示。
f图111绝缘栅型场效应管的特性曲线（2）恒流区电流方程：与结型场效应管相类似，iD与UGS的近似关系式为：3场效应管的主要参数（见表1110）
表1110场效应管的主要参数
4场效应管与晶体管的比较（见表1111）表1111场效应管与晶体管的比较
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