．下列对钠离子有阻挡作用的钝化膜为（B）
A二氧化硅
B氮化硅
13．室温下，半导体Si中掺硼的浓度为1014cm－3，同时掺有浓度为11×1015cm－3的磷，则电子
浓度约为（B），空穴浓度为（D），费米能级（G）；将该半导体升温至570K，
则多子浓度约为（F），少子浓度为（F
15×1010cm－3，570K时，
i≈2×1017cm－3）
A1014cm－3
B1015cm－3
D225×105cm－3E12×1015cm－3
），费米能级（I
C11×1015cm－3F2×1017cm－3
）。（已知：室温下，
i≈
G高于Ei
H低于Ei
I等于Ei
三、判断题（共20分每题１分）
1（√）半导体材料的导电性能介于导体和绝缘体之间。
2（×）晶体中内层电子有效质量小于外层电子的有效质量。
3（√）半导体中杂质越多，晶格缺陷越多，非平衡载流子的寿命就越短。
4（√）半导体中的电子浓度越大，则空穴浓度越小。
5（×）同一种材料中，电子和空穴的迁移率是相同的。
6（×）半导体中载流子低温下发生的散射主要是晶格振动的散射。
7（√）非平衡载流子的注入方式有电注入和光注入两种，ＰＮ结在外加正向偏压的作用下
发生的非平衡载流子的注入是电注入。
8（√）MOSFET只有一种载流子（电子或空穴）传输电流。
9（√）反向电流和击穿电压是表征晶体管性能的主要参数。
10（√）在某些气体中退火可以降低硅二氧化硅系统的固态电荷和界面态。
11（√）高频下，p
结失去整流特性的因素是p
结电容
12（×）p
结的雪崩击穿电压主要取决于高掺杂一侧的杂质浓度。
13（√）要提高双极晶体管的直流电流放大系数α、β值，就必须提高发射结的注入系数和
基区输运系数。
14（√）二氧化硅层中对器件稳定性影响最大的可动离子是钠离子。
15（√）场效应晶体管的源极和漏极可以互换，但双极型晶体管的发射极和集电极是不可以
互换的。
16（√）强
型半导体的费米能级位置最高，强p型半导体的费米能级位置最低。
17（√）金是硅中的深能级杂质，在硅中能形成双重能级（受主和施主能级），所以金是有效
的复合中心。
18（×）PN结势垒区主要向杂质浓度高一侧扩展。
19（×）制造MOS器件常常选用110晶向的硅单晶。
20（√）金属与半导体接触可形成肖特基接触和欧姆接触。
四、名词解释共12分每题3分
1．平衡状态、非平衡状态
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在一定温度下，产生和复合处于相对平衡，单位时间内产生的电子和空穴对数目和复合掉的数目相等，保证载流子浓度不变，这种状态就称为“平衡状态”；由于外界的影响而r