班级
常州信息职业技术学院2009－2010
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姓名
装
学年第一学期半导体器件物理
学号
订
成绩
课程期末试卷
五
总
项目
一
二
三
四
六
分
满分
100
得分
一、填空题：（每空1分，共20分）
1．在半导体材料中，Si、Ge属于第一代半导体材料的，它们的晶格结构是典型的金刚
石结构，能带结构属于间接带隙型的；GaAs属于第二代半导体材料的，它们的晶格
结构是典型的闪锌矿结构，能带结构属于直接带隙型的（直接或间接）。2．一般情况下，在纯净的半导体中掺磷使它成为Ｎ型半导体，在纯净的半导体中掺硼，使它形成Ｐ型半导体。通常把形成Ｎ型半导体的杂质称为施主杂质，把形成
Ｐ型半导体的杂质称为受主杂质。
3．费米能级
是衡量电子填充能级的水平，平衡ＰＮ结的标志是有统一的费米能
级
。
4．ＰＮ结击穿共有三种：雪崩击穿、隧道击穿、热击穿
，击穿现象中，电
流增大的基本原因不是由于迁移率增大，而是由于载流子浓度增加，一般掺杂浓度下，雪
崩击穿机构是主要的，当杂质浓度较高，且反向电压不高时，易发生隧道击穿。
5．MIS结构外加栅压时，半导体表面共有三种状态：积累、耗尽、反
型
。
二、选择题：（共20分每空1分）
1．硅单晶中的空位属于（A）
Ａ点缺陷
Ｂ线缺陷
Ｃ面缺陷
2．半导体晶体中原子结合的性质主要是（A）。
A共价键结合
B金属键结合
C离子键结合
3．下列能起有效复合中心作用的物质是（B）
线
A硼（B）B金（Au）C磷（P）D铝（Al）
4．载流子的迁移率是描述载流子A的一个物理量；载流子的扩散系数是描述载流子
B的一个物理量。
A在电场作用下的运动快慢
B在浓度梯度作用下的运动快慢
5．载流子的扩散运动产生（C）电流，漂移运动产生（A）电流。
A漂移
B隧道
C扩散
6．实际生产中，制作欧姆接触最常用的方法是（A）
Ａ重掺杂的半导体与金属接触
Ｂ轻掺杂的半导体与金属接触
7．MIS结构半导体表面出现强反型的临界条件是（B）。（VS为半导体表面电势；qVBEiEF）
AVSVB
BVS2VB
CVS0
8．p
结反偏状态下，空间电荷层的宽度随外加电压数值增加而（A）。
A．展宽
B．变窄
C．不变
9．在开关器件及与之相关的电路制造中，（C）已作为缩短少数载流子寿命的有效手段。
A钝化工艺B退火工艺C掺金工艺
10．真空能级和费米能级的能值差称为（A）
A功函数
B亲和能
C电离电势
11．平面扩散型双极晶体管中掺杂浓度最低的是（C）
A发射区
B基区
C集电区
12r