业技术学院2010－2011学年第一
2010－2011学年第一学期半导
项目满分得分
一
二
三
四
五
总分100
常州信息职业技术学院2010－2011
一、选择题：含多项选择，共30分，每空1分，错选、漏选、多选选择题：含多项选择，（含多项选择错选、漏选、（均不得分）均不得分）
1．半导体硅材料的晶格结构是（A）A金刚石B闪锌矿C纤锌矿2．下列固体中，禁带宽度Eg最大的是（C）Ａ金属Ｂ半导体Ｃ绝缘体3．硅单晶中的层错属于（C）Ａ点缺陷Ｂ线缺陷Ｃ面缺陷4．施主杂质电离后向半导体提供（B），受主杂质电离后向半导体提供（A），本征激发后向半导体提供（AB）。A空穴B电子5．砷化镓中的非平衡载流子复合主要依靠（A）A直接复合B间接复合C俄歇复合6．衡量电子填充能级水平的是（B）Ａ施主能级Ｂ费米能级Ｃ受主能级D缺陷能级7．载流子的迁移率是描述载流子A的一个物理量；载流子的扩散系数是描述载流子B的一个物理量。A在电场作用下的运动快慢B在浓度梯度作用下的运动快慢－－8．室温下，半导体Si中掺硼的浓度为1014cm3，同时掺有浓度为11×1015cm3的磷，则电子浓度约为（B），空穴浓度为（D），费米能级（G）；将该半导体升温至570K，则多子浓度－约为（F），少子浓度为（F），费米能级（I）（已知：室温下，
i≈15×1010cm3，570K。－317时，
i≈2×10cm）－－－A1014cm3B1015cm3C11×1015cm3－－－D225×105cm3E12×1015cm3F2×1017cm3G高于EiH低于EiI等于Ei9．载流子的扩散运动产生（C）电流，漂移运动产生（A）电流。A漂移B隧道C扩散10．下列器件属于多子器件的是（BD）Ａ稳压二极管Ｂ肖特基二极管Ｃ发光二极管D隧道二极管211．平衡状态下半导体中载流子浓度
0p0
i，载流子的产生率等于复合率，而当
p
i2时，载流子的复合率（C）产生率Ａ大于Ｂ等于Ｃ小于12．实际生产中，制作欧姆接触最常用的方法是（A）Ａ重掺杂的半导体与金属接触Ｂ轻掺杂的半导体与金属接触13．在下列平面扩散型双极晶体管击穿电压中数值最小的是（C）ABVCEOBBVCBOCBVEBO14．MIS结构半导体表面出现强反型的临界条件是（B）（VS为半导体表面电势；qVBEiEF）。AVSVBBVS2VBCVS0
15．晶体管中复合与基区厚薄有关，基区越厚，复合越多，因此基区应做得（C）A．较厚B．较薄C．很薄16．p
结反偏状态下，空间电荷层的宽度随外加电压数值增加而（A）。A．展宽B．变窄C．不变17．在开关器件及与之相关的电r