方法CVD
条件碳源：CH4H2基底：NiRuCu温度：1000°C碳源：CH4H2基底：Cu温度：650°C基底：6HSiC0001温度：1280°C试剂：Na乙醇温度：220°C多环芳香烃热融化温度：1100°C插入：N甲基吡咯烷酮
产率和性能高达几十微米的片材尺寸大面积单层石墨烯厚度可达到1cm
PECVD
石墨化溶剂热法有机合成石墨溶液剥离
晶粒尺寸：长50um，宽1um折叠的石墨烯结构，本体电导率：005Sm在石英上形成30
m厚的薄膜，电导11率20600Sm电阻：16kΩm单层产率：712wt提纯后膜电导率：6500Sm
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石墨溶液剥离热剥离和液体插入
插入：十二烷基苯磺酸钠1000°C下热剥离插入剂：发烟硫酸和TBA
单层产率：3wt，尺寸1um膜电导率：35Sm尺寸：250
m100
m宽的单层电阻：1020Ωm片材尺寸：500700
m石墨烯单层的电阻：7200Sm含氧官能团的不完全去除纳米合成的模板膜的电导率：可达到7700Sm
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纯化后单层产率：90
电化学剥离，化学还原GO
电解液：1辛基3甲基咪唑六氟磷酸盐。电极：石墨棒还原剂：联氨脱氧剂：KOH或NaOH温度：5090°C还原剂：牛血清白蛋白还原剂：维生素C温度：95°C通过细菌呼吸的还原还原剂：氢碘酸和乙酸在室温下放入溶液中或者在40°c下放入蒸汽中超声波还原：211KHz的声波降解30mi
在联氨下微波辅助的还原
在还原后，膜的电阻率减少到10蒸汽还原后的薄膜：7850Sm形成14层rGO
1
4
薄层电阻率：在溶解后，用小球干燥
形成18层rGO，尺寸可达到几个微米薄膜层电阻：8KΩsq薄膜电阻：6KΩ
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GO的热还原法
在空气中220°C，保温24h在二甲基甲酰胺中150°C1h
fGO的光热还原
在H2或N2下，高压，汞灯脉冲氙气闪光灯
薄膜尺寸：1um单层导电率：200020000Sm
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在光罩下，能够制备GOrGO薄膜rGO薄膜层电阻：95KΩsq
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