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司制作的GaNMODFET其施主层极薄仅为20
m因此使器件的输入电容和截止频率都得到很大改进该器件栅长为012∧截止频率m为50GHz漏极电流为800mAmm跨导值达r
240mSmm器件在10GHz频率下工作时的功r
率密度为117Wmm超过任何其它材料制作的其它HEMT器件结构1997年GaN基FET的射频输出功率水平继续得到提高GaN生长的标准衬底是蓝宝r
石但这种衬底的导热性能很差因而目前多在SiC衬底上制作GaNHEMT1997年6月在法国召开的GaN专题会议上许多FET研究人员认为可用作GaN功率器件衬底的最佳材料选择应是AlN和SiC1997年初Navalr
第36卷第1期1999年2月半导体情报r
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所谓MCM即是把多块裸露的IC芯片安装在同一块高密度多层互连衬底并封装在同一个管壳中而构成其关键在于