在发光应用领域取得了巨大进r
为6517Vds为50V射频功率密度达313Wmm这一PAE值是采用宽禁带半导体材料获得的最高值此外Purdue大学还采用6H2SiC制作了大量的数字电路包括NANDNORXOR半加法器和11级环形振荡器等美国在1997年规定宽禁带半导体的发展目标是生产出能在1000V以上和1000Acm2以上电流密度下正常工作的SiC大功率开关其总功率密度要比Si高出5倍并使电子系统的电源体积和重量大大降低SiCGaN和AlN应实现小型EW发射机用的50W1840GHz～功率模块寿命在1000小时以上的蓝光发射二极管寿命在1000小时以上的蓝光和紫外光激光器以及太阳无光Solar2bli
d紫外光探测器1997财政年度完成150WSiCSIT25WX波段MESFET和SiCMMIC的高温互连研制工作完成GaN外延膜的可控p型掺杂工艺开r
GaN的研究始于70年代90年代以来一r
圆片的研究成果有了大直径的SiC片使批量生产微波和功率晶体管成为可能otorola和MCreeResearch研制的4H2SiCMESFET在850MHz频率下工作时的功率增加效率PAEr
近期内可以大批量出售1997年瑞典斯德歌在尔摩召开的SiC2及相关材料国际会议上Cree公司又公布了其最新的3英寸4HSiC段SIT和100W10GHz混合放大器开发出直径在1英寸以上的GaN衬底和合成技术并研制出高Al含量的AlGaN材料用的有效掺杂技术r
展外它还特别适合用作大功率射频源美国在90年代初就制定了旨在开发GaN材料器件和电路的MURI计划包括兆瓦固体电子器件计划和大功率固体电子器件研究计划等r
1997年GaNMODFET取得了突破性进r
展伊利诺斯大学研制成功双施主型GaNMODFET结构AlGaN施主层既可从沟道上面也可从沟道下面向沟道内提供电荷该器件具有迄今最佳的DC特性漏极电流为r
1100mAmm跨导值为270mSmmCSB公Ur
发研究1998财政年度的目标是完成3英寸直径4H和6HSiC衬底圆片实验实现均匀掺杂使整个圆片上的缺陷密度降低至1013cm2以下制备出高电阻率的SiC衬底研制出150WS波段SIT和25WX波段混合放大器r
1998年财政年度的其它目标包括实现掺杂半绝缘低缺陷105cm2密度以下GaN的重r
复外延生长技术并验证GaN生长用的高可靠浅p型掺杂技术1999年财政年度的计划目标是开发商用外延工艺使材料特性缺陷密度杂质控制等超过衬底质量制作出300S波Wr
ResearchLaboratoryATMI两家合作在SiCr
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