开发用于微电子元件的深层亚微米技术抗辐射微电子制造工艺r
2003年目标开发1620bit20Msps～～1GspsAD转换器用于通信CI导航及潜r
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6宽禁带半导体技术r
射频雷达通信和电子战传感器小型激光器和探测器都需要使用先进的小型发射机而这一切都需要高性能的宽禁带半导体材料做基础宽禁带半导体材料包括SiCGaNlN和A金刚石等使用宽禁带半导体材料可制作出能在300500℃下工作的电子元器件使小型紫～外激光系统实现全色显示应用和高密度光存储数据为了在这一新兴领域占一席之地90年代以来世界范围内掀起了研究宽禁带半导体的热潮与Si和GaAs相比用宽禁带半导体材料制作的固态放大器和RF发射机系统具有尺寸可靠性寿命及价格优势因此为了满足对输出功率功率密度工作效率线性度工作电压和工作温度都有很高要求的航空和航天应用的需要美国Cree公司已经在出售直径为11375英寸的SiC圆片并在1997年8月公布研制成功
型4H和6H2英寸直径的SiC圆片预计r
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艇作战任务发展高速高分辨率的AD转换器需要具有低噪声超高速半导体器件改进的电路设计精确的高速模拟器件模型以及先进的封装工艺如今许多领域都面临开发新型高效的ADA转换器问题美国要开发的更快D更精确的ADA转换器将用在它的航空通D信机ANC上现有的ANC上装有20个r
SICGARS无线通信装置将来用一个具有N100MHz动态范围大于100dB的AD转换r
器则只需1个SICGARS无线通信装置此N高速数AD转换器的功耗为1W在实现高温据及数字程序化宽带宽高速低功耗ADDr
A转换器过程中新型的Si及其它r
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半导体情报第36卷第1期1999年2月直在以惊人的速度迅速发展前景十分看好有关专家预言GaN将开创化合物半导体工业的新纪元据StrategiesU
limited的一项最新市场调查显示到2006年GaN基半导体器件及电路的市场将达到30亿美元日本MITI计划在1998年制定一项采用宽禁带氮化物材料开发LED的7年规划其目标是到2005年研制密封在荧光管内并能发出白色光的高能量紫外光LED这种白色LED的功耗仅为白炽灯的18是荧光灯的12其寿命将是传统荧光灯的50100倍参加这项～计划实施的有大学电子产品生产公司和芯片制造商等据报道今后5年内MITI的总投资额将达到50亿日元4340万美元r
GaN除了r