显影液；然后硅片将在静止的状态下进行显影；显影完成后，需要经过漂洗，之后在旋干。漂洗和旋干是为了去除残留在硅片上的显影液。喷洒显影的优点是它可以满足工艺流水线的要求，提高生产效率。
f显影之后，一般要通过光学显微镜，扫描电子显微镜或者激光系统来进行显影检验；目的是区分哪些有很低可能性通过最终掩膜检验的晶圆，提供工艺性能和工艺控制数据，以及分拣出需要重做的晶圆。而影响显影效果的因素主要有：曝光时间，前烘的温度与时间，胶膜的厚度，显影液的浓度以及显影液的温度等。显影时间太短，可能留下光刻胶薄膜层，从而阻挡腐蚀二氧化硅或金属，形成氧化层“小岛”。时间太短，光刻胶软化、膨胀、钻溶、浮胶，导致图形边缘破坏。
5坚膜（HardBake）
硅片在经过显影之后，需要经历一个高温处理过程，简称坚膜。坚膜的主要作用是去除光刻胶中剩余的溶剂，增强光刻胶对硅片表面的附着力，同时提高光刻胶在刻蚀和离子注入过程中的抗蚀性和保护能力。通常坚膜的温度要高于前烘和曝光后烘烤温度，也称为光刻胶的玻璃态转变温度。
坚膜的方法有：（1）恒温烘箱法（180200℃，30mi
左右）；（2）红外灯照射（照射10mi
，距离6cm）。如果坚膜不足，则腐蚀时易浮胶，易侧蚀；如果坚膜过度，则胶膜热膨胀导致翘曲，剥落，腐蚀时易浮胶或钻蚀。若温度超过300℃，则光刻胶分解，失去抗腐蚀能力。
在坚膜之后还需要对光刻胶进行光学稳定，光刻胶的光学稳定是通过紫外光辐照和加热来完成的。通过光学稳定，使光刻胶在干法刻蚀过程中的抗腐蚀性得到增强，进而提高刻蚀工艺的选择性；而且还可以减少在注入过程中从光刻胶中逸出的气体，防止在光刻胶层中形成气泡。
6刻蚀Etchi
g
在微电子制造工艺中，光刻图形必须最终转移到光刻胶下面组成器件的各薄膜层上，这种图形的转移是采用刻蚀工艺完成的，经过刻蚀的图形就永久留在晶圆的表层。刻蚀工艺分
f为两大类：湿法和干法刻蚀。无论哪一种方法，其目的都是将光刻掩模版上的图形精确地转移到晶圆表面。同时要求一致性、边缘轮廓控制、选择性、洁净度都符合要求。
湿法刻蚀具有各向同性腐蚀的特点，工艺简单，腐蚀选择性好；但钻蚀严重（各向异性差），难于获得精细图形，且刻蚀3μm以上的线条，所以现在一般不采用湿法刻蚀。Si的
湿法刻蚀：SiHNO3HF→H2SiF6HNO2H2OH2
现代光刻技术最常用的刻蚀工艺为干法刻蚀，其各向异性腐蚀强，分辨率高，能刻蚀3μm以下线条。干法刻蚀有三种类型，分别为：（1）等r