离子体刻蚀：化学性刻蚀；刻蚀气体经辉光放电后，成为具有强化学活性的离子及游离基等离子体。等离子体活性基团与被刻蚀材料发生化学反应。选择性好，各向异性
差。所用的刻蚀气体有：CF4、BCl3、CCl4、CHCl3、SF6等。
（2）溅射刻蚀：纯物理刻蚀；等离子体轰击被刻蚀的材料，使其被撞原子飞溅出来，形成刻蚀。其各向异性好，选择性差；刻蚀气体为惰性气体。（3）反应离子刻蚀（RIE）结合（1）、（2）；各向异性和选择性兼顾；刻蚀气体与等离子体刻蚀相同。
Si的干法刻蚀：SiF→SiF4↑SiO2的干法刻蚀SiO2F→SiF4↑O2CF3SiO2→SiF4↑CO↑CO2↑SiN4的干法刻蚀：SiN4F→SiF4↑N2↑
f7去胶StripPhotoresist
经过刻蚀或离子注入之后，已经不再需要光刻胶做保护层，因此可以将光刻胶从硅表面除去，这一步骤称为去胶。去胶的方法包括湿法去胶和干法去胶。在湿法去胶中又分为有机溶液去胶和无机溶液去胶。
有机溶液去胶是使用与光刻胶互溶的丙酮和芳香族的有机溶剂，达到去胶目的。无极溶液去胶的原理是利用光刻胶本身也是有机物的特点，通过可以把光刻胶从硅片的表面除去。不过由于无机溶液会腐蚀Al，因此去除Al上的光刻胶必须使用有机溶剂。干法去胶则是用等离子体将光刻胶去除。相对而言，干法去胶的效果要好于湿法去胶，但干法去胶存在反应残留物的玷污问题，因此干法、湿法去胶经常搭配使用。
光刻是通过化学反应，将光刻版上的图形转移到光刻胶上，在经刻蚀将光刻胶上的图形转移到硅表面的薄膜上。光刻要求硅片表面上存在的图案与掩膜版上的图形准确对准。随着芯片集成度的提高，对光刻技术提出了越来越高的要求，即对光刻工艺流程的每一步都有更高的要求。每一个流程的进步都对光刻技术有很大影响。
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