使光刻胶在曝光时的敏感度变差，增感剂挥发，导致显不出图形。
前烘的方式一般有：烘箱对流加热，红外线辐射加热，热板传导加热。在ULSI工艺中，常用的前烘方法是真空热平板烘烤。这种方法方便控制温度，还可以保证加热均匀。平板烘烤还可以解决光刻胶表面粗糙的问题。
3曝光（Exposure）
光刻胶在经过前烘之后，原来为液态的光刻胶在硅片表面上固化，这样就可以进行曝光。曝光方式有接触式，接近式和投影式。接触式硅片与光刻版紧密接触，光衍射效应小，分辨率高，但对准困难，易摩擦，是光刻版图形变形，光刻版寿命短且成品率低。接近式硅片与光刻版保持550μm间距，光刻版不易损坏，光衍射效应严重，分辨率低，线宽大于3μm。投影式曝光利用光学系统，将光刻版的图形投影在硅片上，光刻版不受损伤，对准精度也高，但光学系统复杂，对物镜成像要求高，一般用于3μm以下光刻。目前常见的曝光有光学曝光（紫外、深紫外），X射线曝光，电子束直写式曝光。
f投影式曝光分类：
扫描投影曝光（Sca
i
gprojectio
exposure）70年代末～80年代初，大于1μm工艺；掩膜版1：1全尺寸。
步进重复投影曝光（Steppi
grepeati
gprojectio
exposure）80年代末～90年代，035μm～025μm（DUV）。掩膜版缩小比例（4：1），棱镜系统的制作难度增加。
扫描步进投影曝光（Sca
i
gstepperprojectio
exposure），90年代末至今，用于小于018μm工艺，增大了每次曝光的视场，提供硅片表面不平整的补偿，提高了整个硅片的尺寸均匀性；但同时需要反向运动，增加了机械系统的精度要求。
需要注意的是在进行曝光时会发生驻波效应，导致曝光的线宽发生变化。为了减弱驻波效应往往在光刻工艺中使用抗反射涂层（ARC）工艺。利用ARC吸收折射进入ARC的光线，以及根据曝光所使用的波长使ARC与折射进入ARC的光波相匹配，可以降低ARC反射到光刻胶中的光线强度。ARC的制作方法一般有物理气相淀积（PVD）和化学气相淀积（CVD）
4显影（Developme
t）
曝光之后需要进行后烘，短时间的后烘可以促进光刻胶的关键化学反应，提高光刻胶的粘附性并减少驻波，然后就可以进行显影。显影是将未感光的负胶或感光的正胶溶解去除，显现出所需的图形。正胶显影液是含水的碱性显影液，如KOH、TMAH（四甲基氢氧化胺水溶液）等。负胶显影液是一种有机溶剂，如丙酮、甲苯等。
进行显影的方式有很多种，如：浸入式显影，混凝显影，喷洒显影等。目前应用最广泛的是喷洒方法。这种显影可分为三步：硅片被置于旋转台上，并且在硅片表面上喷洒r