单电极芯片成品检验标准
10112109809108208309709708207689外观标准：（A类品）
接受质量限AQL
检验项目判定标准
A类不合格：0065检验工具
B类不合格：04OK图片
1、正金电极中间不得缺损
显微镜
2、正金电极边缘少金不得超过电极面积的110
显微镜
缺损
电极表面不良
3、背金缺损面积不得超过原面积的15显微镜
4、背面不得有掉背金现象
显微镜
1、多金多铝不得多于电极面积的110，且多金多铝部分由电极边缘到发多金多光区边缘长度不得超过12的区域之内。铝（挂角）2、挂角部分的宽度不得超过电极直径的110，且挂角部分必须处在的电极边缘到发发光区边缘长度12的区域之内。
显微镜显微镜
异常图片
QMWI0011Rev6
不合格分类
ABBBBBBB
f氧化
1、正金电极氧化及粗糙面积不得超过电极面积的15
显微镜
1、正金电极中间不允许水点现象
显微镜
2、正金电极中间不允许起皮现象
显微镜
电极表面不良
气泡
3、电极边缘水点面积不得多于电极面积的110
显微镜
4、电极边缘起皮面积不得多于电极的110
显微镜
异色
1、电极表面呈原金属色，无变色、发黄现象
显微镜
暂无图片
QMWI0011Rev6BBBBBB
f1、正金电极脏污不得超出电极面积的110
显微镜
脏污
2、背金电极脏污不得超出电极面积的110
显微镜
1、电极刮伤不得露出底材
显微镜
电极表面不良
刮伤
2、正金电极刮伤面积不得超过电极面积的15
显微镜
3、背金电极刮伤面积不得超过电极面积的13
显微镜
1、全测产品（112、109、809、309）正金电极必须有针痕
显微镜
测试点
2、电极表面测试点不得超过两个（允许两个）
显微镜
QMWI0011Rev6BBBBBBB
f测试点
3、针痕大小不得超过电极面积的15深度不得超过电极的厚度
显微镜
电极表面不良
合金异常
合金异常导致的电极表面突出的小点数量不得超过10个
显微镜
脏污
1、发光区脏污面积不得多于发光区面积110
显微镜
残金
1、发光区残金面积不得多于发光区面积的110；且残金不得在发光区边缘
显微镜
发光区表面不良
刮伤1、发光区不得有刮伤或针痕
显微镜
水点
1、晶粒表面水点个数不得多于2个，且整张芯片膜上零散分布水点芯片比例不超过2，不能有集中分布的水点现象
显微镜
红线
发光区表面不得有在体视显微镜下可观察到的红线
显微镜
QMWI0011Rev6BBBBBBB
f发光区表面不良
脱落
1．HBTB工艺晶粒发光区不得有脱落的现象
氧化
1．HBTB工艺晶粒发光区上的氧化颜色的形状不得出现“11”单边氧化的现象
显微镜显微镜
正崩
1、晶粒正面崩边缺r