gaas芯片LED芯片技术的发展
gaas芯片LED芯片技术的发展
gaas芯片LED芯片技术的发展
自从1993年Nsometimesk
ow
whilemura发觉高亮GaN蓝光led以来，LED技术及应用日新月异。究其原因有两个方面：1）全系列RGBLED出现，gaas芯片。其应用面大大拓宽，2）白光LED出现，让追求低碳时期的人们指望LED尽快成为智能化的第四代固态照明光源。固然LED的发光效率曾经超出跨越日光灯和白炽灯，但商业化LED发光效率还是低于钠灯150lmW。那么，哪些因素影响LED的发光效率呢？就白光LED来说，其封装成品发光效率是由内量子效率电注入效率提取效率和封装效率的乘积裁夺的。
其中内量子效率主要取决于PN结外延资料的品德如杂质、晶格缺陷和量子阱机关目前内量子效率达601。电注效率是由P型电极和N型电极间的半导体资料特性裁夺的，芯片。如欧姆接触电阻，半导体层的体电阻（电子的迁移率）。对于发展。对460
m蓝光（27eV）LED，导通电压3236V所以目前最好的电注入效率84。但AlGaI
PLEDs的大于90。提取效率由半导体资料间及其出射介质间的不同折射率惹起界面上的反射，导致在PN发射的光不能完全逸出LED芯片。提取效率目前最大达752。封装效率由封装资料荧光粉的转换效率和光学透镜等裁夺的，gaashemt。封装效率为603。以是目前白光LED的总效率可达23。就LED芯片制造技术来说，它只间接影响着电注入效率和提取效率，由于内量子效率和封装效率分别间接与MOCVD技术和封装技术有关，以是本文着重先容相关于电效率和提取效率的LED芯片技术及其开展趋向。
1改善电注入效率
从电学下去说LED可以看作由一个理想的二极管和一个等效串联电阻组成，我不知道gaas太阳能电池。其等效串联电阻由P型层电阻、P型接触电阻、N型层电阻、N型接触电阻以及PN结电阻等五部分组成。由于在四元AlGaI
PLED中电注入效率大于90，故下面重点商讨GaN基LED。
1）接触电阻
看待NGaN的欧姆接触绝对便利制造，常用几种金属组合如TiAl，TiAlTiAuCrAuTiAu等，接触电阻率通常可以达到105106Ωcm24。尤其用得最多的四层金属CrAuTiAu的欧姆接触达0．33
Ωcm25。值得一提的是有Al的金属组合中低温职能较差，你知道i
gaas。在温度较高时Al生计横向分散，这看待小尺寸芯片异常便利出现短路征象。
看待低阻的pGaN欧姆接触制造斗劲艰巨，原因是pGaN资料的P型浓度小于1018cm3，其次没有与PGaN资料的功函数（75eV6）成家的金属资料。目前具有最大功函数的金属Pt，gaashemt。其功函数也唯有565eV。所以接触电阻率通常为102103Ωcm2。这样的接触电阻看待小功率LEDr