石墨烯（Graphe
e）的制备方法总结
石墨烯（Graphe
e）是一种由碳原子以sp2杂化轨道组成六角型呈蜂巢状晶格的平面薄膜，是一种只有一个原子层厚（0334
m）的二维材料。石墨烯分为：1单层石墨烯（Graphe
e）；2双层石墨烯（Bilayerordoublelayergraphe
e）；3少层石墨烯（fewlayer）310层；4多层或者厚层石墨烯（multilayergraphe
e）厚度在10层以上10
m以下。石墨烯（Graphe
es）是一种二维碳材料，是单层石墨烯、双层石墨烯、多层石墨烯的总称。制备不同种类的石墨烯有不同的方法，一般情况下，制备单层石墨烯的方法有：机械剥离法、化学气象沉积法、外延生长法、有机合成法等；制备多层石墨烯的方法有：氧化还原法、电弧放电法等；制备石墨烯纳米带的方法：熔融合金快淬碳自析法等。目前为止，国内外的石墨烯制备方法有20多种，其中包括：1机械剥离法2氧化还原法3外延生长法4有机合成法5化学气象沉积法（CVD）6化学剥离法（氧化还原法）7球磨法8熔融合金快淬碳自析法9电化学法10石墨插层法11离子注入法12高温高压生长法（HTHP）13爆炸法14液相气象直接剥离法15等离子体增强化学气象沉积法（PECVD）16原位自生模板法17电泳沉积法18微波法19溶剂热法20电弧放电法21固态碳源催化法22纳米管切割法每一种制备方法的原理、制备的石墨烯质量、工艺过程及评价：（1）化学气象沉积法（CVD）原理：CVD法是可控制备大面积石墨烯的一种最常用的方法。它的主要原理是利用平面金属作为基底和催化剂，在高温环境中通入一定量的碳源前驱体和氢气，相互作用后在金属表面
f沉积而得到石墨烯。从生长机理上主要可以分为两种一是，渗碳析碳机制，即对于镍等具有较高溶碳量的金属基体，碳源裂解产生的碳原子在高温时渗入金属基体内，在降温时再从其内部析出成核，进而生长成石墨烯；二是，表面生长机制，即对于铜等具有较低溶碳量的金属基体，高温下气态碳源裂解生成的碳原子吸附于金属表面，进而成核生长成“石墨烯岛”，并通“石墨烯岛”的二维长大合并得到连续的石墨烯薄膜。通常为了确保实验的安全性，在体系中还应连通入氩气加以保护。最初常用的金属基底包括钌、钴、镍、铂、铱等。通过控制基底的类型、生长温度、前驱体流量、降温速率等参数，可实现石墨烯生长的调控。工艺过程：1）把用丙酮和酒精处理后的铜箔切成4cm4cm大小，放置在管式炉的石英管内；2）在Ar气气氛下，常压升温到8001000℃（压气流量600sccm1sccm1mlmi
）升温速率8℃r