不同比例混合而成。61BOE蚀刻即表示HFNH4Fl6的成份混合而成。HF为主要的蚀刻液，NH4F则做为缓冲剂使用。利用NH4F固定H的浓度，使之保持一定的蚀刻率。HF会侵蚀玻璃及任何硅石的物质，对皮肤有强烈的腐蚀性，不小心被溅到，应用大量冲洗。
19）Bou
daryLayer边界层
假设流体在芯片表面流速为零，则流体在层流区及芯片表面将有一个流速梯度存在，称为边
界层（Bou
daryLayer）
20）BPSGboro
phosphorsilicateglass
BPSG为硼磷硅玻璃，含有BP元素的SiO2加入BP可以降低Flow温度，并且P吸附一些杂质离子，流动性比较好，作为ILD的平坦化介质。
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21）Breakdow
Voltage崩溃电压
左图是一个典型PN二极管的电流对电压曲线，因为只有在加正向电压时才导通，但假若施加的反向电压太高且超过一特定临界值时，反向电流将急剧上升，这个现象称为电崩溃。而使崩溃现象发生的临界电压称为崩溃电压，如图中的VBD
22）BufferLayer缓冲层
通常此层沉积于两个热膨胀系数相差较大的两层之间缓冲两者因直接接触而产生的应力作用。我们制程最常见的缓冲层即SiO2，它用来缓冲SiN4与Si直接接触产生的应力，从而提升Si3N4对Si表面附着能力
SiN4
Buffer
SiO2
layer
Si
23）C1clea
Clea
的一种制程，它包括DHF稀释HFAPMNH4OHH2O2H2OmixedHPM
HClH2O2H2Omixed
24Bur
i
预烧试验
「预烧」Bur
i
为可靠性测试的一种，旨在检验出那些在使用初期即损坏的产品，而在出货前予以剔除。
预烧试验的作法，乃是将组件产品置于高温的环境下，加上指定的正向或反向的直流电压，如此残留在晶粒上氧化层与金属层的外来杂质离子或腐蚀性离子将容易游离而使故障模式FailureMode提早显现出来，达到筛选、剔除「早期夭折」产品的目的。预烧试验分为「静态预烧」StaticBur
i
与「动态预烧」Dy
amicBur
i
两种，前者在试验时，只在组件上加上额定的工作电压及消耗额定的功率。而后者除此外并有仿真实际工作情况的讯号输入，故较接近实际况，也较严格。
基本上，每一批产品在出货前，皆须作百分之百的预烧试验，但由于成本及交货期等因
素，有些产品就只作抽样部分的预烧试验，通过后才货。另外，对于一些我们认为它品质
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够稳定且够水准的产品，亦可以抽样的方式进行。当然，具有高信赖度的产品，皆须通过百分之百的预烧试验
25CarrierGas载气
用以携带一定制程反应物（液体或气体）进反应室的气体，例如用N2携带液态TEOS进炉管，N2即可称为载气。
26Chamber真空室，反应室
专r