的晶格结构退火方式：
炉退火
1
f四川洪芯微科技有限公司
快速退火：脉冲激光法、扫描电子束、连续波激光、非相干宽带频光源如卤光灯、电弧灯、石墨加热器、红外设备等
9）A
gstrom埃
是一个长度单位，11010米其大小为1公尺的佰亿分之一，约人的头发宽度的伍拾万分之一。此单位常用于IC制程上，表示膜层如SiO2，POLY，SIN厚度时用
10）Argo
氩气11）ArcChamber弧光反应室
弧光反应室事实上就是一个直流式的电浆产生器。因为所操作的电流－对－电压的区域是在弧光电浆内。
12）APMAmmo
iahydroge
PeroxideMixi
g
又称SC1Sta
dardClea
i
gsolutio
1主要化学试剂是NH4OHH2O2DIwater常用比率为1：1：6。能有效去处除无机颗粒，有机沉淀及若干金属玷污，去除颗粒能力随NH4OH增加而增加。
13）Backi
gPump辅抽泵
在高真空系统中，要想很快建立我们所需的高真空，单纯靠高真空泵是不行的（因高真空泵启动时系统必须已经在低真空条件下），所以我们在系统中加入一个辅抽泵（如油泵）先对系统建立初真空，再由高真空泵对系统建立高真空。
14）BakeSoftbakeHardbake烘培、软烤、预烤
烘烤（Bake）在集成电路芯片的制造过程中，将芯片置于稍高温60C250C的烘箱或热板上均可谓之烘烤。随其目的不同，可区分为软烤Softbake与预烤Hardbake。软烤Softbake其使用时机是在上完光阻后，主要目的是为了将光阻中的溶剂蒸发去除，并且可增加光阻与芯片的附着力。预烤Hardbake又称为蚀刻前烘烤preetchbake，主要目的为去除水气，增加光阻附着性，尤其在湿蚀刻wetetchi
g更为重要，预烤不完全常会造成过蚀刻。
15）BarrierLayer阻障层
为了防止铝合金与硅的的接触界面发生尖峰（spiki
g）现象，并降低彼此的接触电阻，在铝合金与硅之间加入一层称为阻障层的导体材料，常见的有TiTiN及TiW。
16）BB：BirdsBeak鸟嘴
在用Si3N4作为掩膜制作fieldoxide时，在Si3N4覆盖区的边缘，由于氧或水气会透过PadOxide
2
f四川洪芯微科技有限公司
Layer扩散至SiSubstrate表面而形成SiO2，因此Si3N4边缘向内会产生一个鸟嘴状的氧化层，即所谓的BirdsBeak。其大小与坡度可由改变Si3N4与PadOxide的厚度比及FieldOxidatio
的温度与厚度来控制
17）
Boat晶舟
Boat原意是单木舟。在半导体IC制造过程中，常需要用一种工具作芯片传送及加工，这种承载芯片的工具，我们称之为Boat。一般Boat有两种材质，一是石英（Quartz），另一碳化硅（SiC）。SiCBoat用在温度较高Drivei
及LPSiN的场合。
QuartzBoat
SiCBoat
18）BOEBufferOxideEtchi
g
BOE是HF与NH4F依r