习题7
71确定图71所示电路的漏极电流。
VDDRDVP6VIDSS3mAVGS2VRDVDD
VTVGS3V
VTVP6VIDSS12mA
a
b
图71习题71图
aUGSQ－2V，IDIDSS1
UGS23×1133mAUP6
bUGSQ3V，ID－12×1－36－3mA72电路如图72所示，MOSFET的UT2V，K50mAV2，确定电路Q点的IDQ和UDSQ值。
UGSQ
Rg2Rg1Rg2
×VDD
15×24313V10015
IDQKUGSQUT250×31322639mA
UDSQVDDIDQRd24639×02112V
73试求图73所示每个电路图的UDS，已知IDSS8mA。aUGSQ0VIDQIDSS8mAUDSQVDD－IDQRd12－8×14VbUGSQ0VIDQIDSS8mAUDSQVDD－IDQRd15－8×1254VIDQIDSS－8mAUDSQVDD－IDQRd－98×056－452VcUGSQ0V
fVDD12VVDD24VRd10kVTVTRg10MRg10M
VDD15VRd12kVT
VDD9VRd560VT
Rg1100k
Rd200
Rg215k
Rg10M
a
b
c
图72习题72电路图
图73习题73电路图
74123
某MOSFET的IDSS10mA且UP－8V。此元件是P沟道还是N沟道？计算UGS－3V是的ID；计算UGS3V时的ID。
1N沟道；2IDIDSS1
UGS310×139mAUP8UGS310×1189mAUP8
3IDIDSS1
75图74所示为场效应管的转移特性，请分别说明场效应管各属于何种类型。说明它的开启电压Uth（或夹断电压Up）约是多少。
iDmA
iDmA32110
iDmA132uGSV
32
1
0uGSVa
4
2
0uGSVb
c
图74习题75图
aN沟道耗尽型FETUP－3V；
fbP沟道增强型FETUT－4V；cP沟道耗尽型FETUP2V。76图75所示为场效应管的输出特性曲线，分别判断各场效应管属于何种类型（结型、绝缘栅型、增强型、耗尽型、N沟道或P沟道），说明它的夹断电压Up（或开启电压Uth）为多少。
图75习题76图
aJFETP沟道UP3V；b耗尽型N沟道FETUP－10V77画出下列FET的转移特性曲线。1UP－6V，IDSS3mA的JFET；2UP－6V，IDSS1mA的MOSFET；3UT8V，K02mAV2的MOSFET。
2378试在具有四象限的直角坐标上分别画出各种类型场效应管的转移特性示意图，并标明各自的开启电压或夹断电压。
1
f79判断图76所示各电路是否有可能正常放大正弦信号。
图76习题79电路图
a能放大
b不能放大，增强型不能用自给偏压
c能放大
710试判断图77所示电路中，哪些具有电压放大作用，如不具有电压放大作用，如何改正才能使其有电压放大作用。a不能放大，缺少Rd
b不能放大，共漏Au1，可增加Rd，并改为共源放大
c不能放大，增强型不能采用自给偏压r