尼二极管该IGBT可代用SGW25N120、SKW25N120代用SGW25N120时请将原配套该IGBT的D11快速恢复二极管拆除不装。8FGA25N120美国仙童公司出品耐压1200V电流容量25℃时42A100℃时23A内部带阻尼二极管该IGBT可代用SGW25N120、SKW25N120代用SGW25N120时请将原配套该IGBT的D11快速恢复二极管拆除不装。22电路方框图
23主回路原理分析
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时间t1t2时当开关脉冲加至IGBTQ1的G极时IGBTQ1饱和导通电流i1从电源流过L1由于线圈感抗不允许电流突变所以在t1t2时间i1随线性上升在t2时脉冲结束IGBTQ1截止同样由于感抗作用i1不能立即突变0于是向C3充电产生充电电流i2在t3时间C3电荷充满电流变0这时L1的磁场能量全部转为C3的电场能量在电容两端出现左负右正幅度达到峰值电压在IGBTQ1的CE极间出现的电压实际为逆程脉冲峰压电源电压在t3t4时间C3通过L1放电完毕i3达到最大值电容两端电压消失这时电容中的电能又全部转化为L1中的磁能因感抗作用i3不能立即突变0于是L1两端电动势反向即L1两端电位左正右负由于IGBT内部阻尼管的存在C3不能继续反向充电而是经过C2、IGBT阻尼管回流形成电流i4在t4时间第二个脉冲开始到来但这时IGBTQ1的UE为正UC为负处于反偏状态所以IGBTQ1不能导通待i4减小到0L1中的磁能放完即到t5时IGBTQ1才开始第二次导通产生i5以后又重复i1i4过程因此在L1上就产生了和开关脉冲f20KHz30KHz相同的交流电流。t4t5的i4是IGBT内部阻尼管的导通电流在高频电流一个电流周期里t2t3的i2是线盘磁能对电容C3的充电电流t3t4的i3是逆程脉冲峰压通过L1放电的电流t4t5的i4是L1两端电动势反向时因的存在令C3不能继续反向充电而经过C2、IGBT阻尼管回流所形成的阻尼电流IGBTQ1的导通电流实际上是i1。IGBTQ1的VCE电压变化在静态时UC为输入电源经过整流后的直流电源t1t2IGBTQ1饱和导通UC接近地电位t4t5IGBT阻尼管导通UC为负压电压为阻尼二极管的顺向压降t2t4也就是LC自由振荡的半个周期UC上出现峰值电压在t3时UC达到最大值。以上分析证实两个问题一是在高频电流的一个周期里只有i1是电源供给L的能量所以i1的大小就决定加热功率的大小同时脉冲宽度越大t1t2的时间就越长i1就越大反之亦然所以要调节加热功率只需要调节脉冲的宽度二是LC自由振荡的半周期时间是出现峰值电压的时间亦是IGBTQ1的截止时间r