。目前有用不同材料及工艺制作的IGBT但它们均可被看作是一个MOSFET输入跟随一个双极型晶体管放大的复合结构。IGBT有三个电极见上图分别称为栅极G也叫控制极或门极、集电极C亦称漏极及发射极E也称源极。从IGBT的下述特点中可看出它克服了功率MOSFET的一个致命缺陷就是于高压大电流工作时导通电阻大器件发热严重输出效率下降。IGBT的特点1电流密度大是MOSFET的数十倍。2输入阻抗高栅驱动功率极小驱动电路简单。3低导通电阻。在给定芯片尺寸和BVceo下其导通电阻Rceo
不大于MOSFET的Rdso
的10。4击穿电压高安全工作区大在瞬态功率较高时不会受损坏。5开关速度快关断时间短耐压1kV18kV的约12us、600V级的约02us约为GTR的10接近于功率MOSFET开关频率直达100KHz开关损耗仅为GTR的30。IGBT将场控型器件的优点与GTR的大电流低导通电阻特性集于一体是极佳的高速高压半导体功率器件。目前458系列因应不同机种采了不同规格的IGBT它们的参数如下1SGW25N120西门子公司出品耐压1200V电流容量25℃时46A100℃时25A内部不带阻尼二极管所以应用时须配套6A1200V以上的快速恢复二极管D11使用该IGBT配套10A12001500V以上的快速恢复二极管D11后可代用SKW25N120。2SKW25N120西门子公司出品耐压1200V电流容量25℃时46A100℃时25A内部带阻尼二极管该IGBT可代用SGW25N120代用时将原配套SGW25N120的D11快速恢复二极管拆除不装。
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3GT40Q321东芝公司出品耐压1200V电流容量25℃时42A100℃时23A内部带阻尼二极管该IGBT可代用SGW25N120、SKW25N120代用SGW25N120时请将原配套该IGBT的D11快速恢复二极管拆除不装。4GT40T101东芝公司出品耐压1500V电流容量25℃时80A100℃时40A内部不带阻尼二极管所以应用时须配套15A1500V以上的快速恢复二极管D11使用该IGBT配套6A1200V以上的快速恢复二极管D11后可代用SGW25N120、SKW25N120、GT40Q321配套15A1500V以上的快速恢复二极管D11后可代用GT40T301。5GT40T301东芝公司出品耐压1500V电流容量25℃时80A100℃时40A内部带阻尼二极管该IGBT可代用SGW25N120、SKW25N120、GT40Q321、GT40T101代用SGW25N120和GT40T101时请将原配套该IGBT的D11快速恢复二极管拆除不装。6GT60M303东芝公司出品耐压900V电流容量25℃时120A100℃时60A内部带阻尼二极管。7GT40Q323东芝公司出品耐压1200V电流容量25℃时40A100℃时20A内部带阻r