……………………………………………………………最新资料推荐…………………………………………………电磁炉工作原理及电磁炉电路图分析电磁炉工作原理及电磁炉电路图分析一一电磁加热原理
电磁炉是一种利用电磁感应原理将电能转换为热能的厨房电器。在电磁灶内部，由整流电路将5060Hz的交流电压变成直流电压，再经过控制电路将直流电压转换成频率为2040KHz的高频电压，高速变化的电流流过线圈会产生高速变化的磁场，当磁场内的磁力线通过金属器皿导磁又导电材料底部金属体内产生无数的小涡流，使器皿本身自行高速发热，然后再加热器皿内的东西。二、电磁炉电路工作原理分析21常用元器件简介211LM339集成电路
LM339内置四个翻转电压为6mV的电压比较器当电压比较器输入端电压正向时输入端电压高于入输端电压置于LM339内部控制输出端的三极管截止此时输出端相当于开路当电压比较器输入端电压反向时输入端电压高于输入端电压置于LM339内部控制输出端的三极管导通将比较器外部接入输出端的电压拉低此时输出端为0V。212IGBT
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绝缘双栅极晶体管IusulatedGateBipolarTra
sistor简称IGBT是一种集BJT的大电流密度和MOSFET等电压激励场控型器件优点于一体的高压、高速大功率器件。目前有用不同材料及工艺制作的IGBT但它们均可被看作是一个MOSFET输入跟随一个双极型晶体管放大的复合结构。IGBT有三个电极见上图分别称为栅极G也叫控制极或门极、集电极C亦称漏极及发射极E也称源极。从IGBT的下述特点中可看出它克服了功率MOSFET的一个致命缺陷就是于高压大电流工作时导通电阻大器件发热严重输出效率下降。
IGBT的特点
1电流密度大是MOSFET的数十倍。
2输入阻抗高栅驱动功率极小驱动电路简单。
3低导通电阻。在给定芯片尺寸和BVceo下其导通电阻Rceo
不大于MOSFET的Rdso
的10。4击穿电压高安全工作区大在瞬态功率较高时不会受损坏。5开关速度快关断时间短耐压1kV18kV的约12us、600V级的约02us约为GTR的10接近于功率MOSFET开关频率直达100KHz开关损耗仅为GTR的30。IGBT将场控型器件的优点与GTR的大电流低导通电阻特性集于一体是极佳的高速高压半导体功率器件。
目前458系列因应不同机种采了不同规格的IGBT它们的参数如下
1SGW25N120西门子公司出品耐压1200V电流容量25℃时46A100℃时r