路制造中，C）已作为缩短少数载流子寿命的有效手段。（A钝化工艺B退火工艺C掺金工艺18．在二极管中，外加反向电压超过某一数值后，反向电流突然增大，这个电压叫（B）。A饱和电压B击穿电压C开启电压19．真空能级和费米能级的能值差称为（A）A功函数B亲和能C电离电势20．平面扩散型双极晶体管中掺杂浓度最高的是（A）A发射区B基区C集电区21．栅电压为零，沟道不存在，加上一个负电压才能形成P沟道，该MOSFET为（A）AP沟道增强型BP沟道耗尽型CN沟道增强型DN沟道耗尽型二、判断题（共20分，每题１分）判断题（每题１１．（√）半导体材料的导电性能介于导体和绝缘体之间。２．（√）半导体中的电子浓度越大，则空穴浓度越小。３．（×）半导体中载流子低温下发生的散射主要是晶格振动的散射。４．（×）杂质半导体的电阻率随着温度的增加而下降。５．（√）半导体中杂质越多，晶格缺陷越多，非平衡载流子的寿命就越短。６．（√）非简并半导体处于热平衡状态的判据是
0p0
i2。７．（√）MOSFET只有一种载流子（电子或空穴）传输电流。８．（√）反向电流和击穿电压是表征晶体管性能的主要参数。９．（×）同一种材料中，电子和空穴的迁移率是相同的。１０．（√）MOS型的集成电路是当今集成电路的主流产品。１１．（√）平衡PN结中费米能级处处相等。１２．（√）能够产生隧道效应的PN结二极管通常结的两边掺杂都很重，杂质分布很陡。１３．（√）位错就是由范性形变造成的，它可以使晶体内的一原子或离子脱离规则的周期而位移一段距离。１４．（√）在某些气体中退火可以降低硅二氧化硅系统的固态电荷和界面态。１５．（√）高频下，p
结失去整流特性的因素是p
结电容１６．（×）p
结的雪崩击穿电压主要取决于高掺杂一侧的杂质浓度。１７．（√）要提高双极晶体管的直流电流放大系数α、β值，就必须提高发射结的注入系数和基区输运系数。１８．（√）二氧化硅层中对器件稳定性影响最大的可动离子是钠离子。１９．（×）制造MOS器件常常选用111晶向的硅单晶。２０．（√）场效应晶体管的源极和漏极可以互换，但双极型晶体管的发射极和集电极是不可以互换的。
班级
姓名
装
学号
订
成绩
三、
名词解释共15分，每题5分，给出关键词得3分共
1．雪崩击穿
随着PN外加反向电压不断增大，空间电荷区的电场不断增强，当超过某临界值时，载流子受电外加反向电压不断增大，空r