第二章PN结填空题1、若某突变PN结的P型区的掺杂浓度为NA15×1016cm3，则室温下该区的平衡多子浓度pp0与平衡少子浓度
p0分别为（电场的方向是从（）区指向（）区。3、当采用耗尽近似时，N型耗尽区中的泊松方程为（掺杂浓度越高，则内建电场的斜率越（）。4、PN结的掺杂浓度越高，则势垒区的长度就越（），内建电场的最大值就越（），内建电势Vbi就越（压就越（）。5、硅突变结内建电势Vbi可表为（特。6、当对PN结外加正向电压时，其势垒区宽度会（7、当对PN结外加反向电压时，其势垒区宽度会（（），势垒区的势垒高度会（），势垒区的势垒高度会（）。）。），在室温下的典型值为（）伏），反向饱和电流I0就越（），势垒电容CT就越（），雪崩击穿电）。由此方程可以看出，）和（）。2、在PN结的空间电荷区中，P区一侧带（）电荷，N区一侧带（）电荷。内建
8、在P型中性区与耗尽区的边界上，少子浓度
p与外加电压V之间的关系可表示为）。若P型区的掺杂浓度NA15×1017cm3，外加电压V052V，则P型区与）。9、当对PN结外加正向电压时，中性区与耗尽区边界上的少子浓度比该处的平衡少子浓度（）；当对PN结外加反向电压时，中性区与耗尽区边界上的少子浓度比该处的平衡少子浓度（）。10、PN结的正向电流由（电流三部分所组成。11、PN结的正向电流很大，是因为正向电流的电荷来源是（很小，是因为反向电流的电荷来源是（（）。）。）；PN结的反向电流）电流、（）电流和（）耗尽区边界上的少子浓度
p为（
12、当对PN结外加正向电压时，由N区注入P区的非平衡电子一边向前扩散，一边）。每经过一个扩散长度的距离，非平衡电子浓度降到原来的（13、PN结扩散电流的表达式为（化为（（），在反向电压下可简化为（）。）电流为主；当电压较高时，以）。在））14、在PN结的正向电流中，当电压较低时，以（）电流为主。15、薄基区二极管是指PN结的某一个或两个中性区的长度小于（薄基区二极管中，少子浓度的分布近似为（16、小注入条件是指注入某区边界附近的（浓度，因此该区总的多子浓度中的（17、大注入条件是指注入某区边界附近的（浓度，因此该区总的多子浓度中的（18、势垒电容反映的是PN结的（19、扩散电容反映的是PN结的（）。）浓度远小于该区的（）多子浓度可以忽略。）浓度远大于该区的（）多子浓度可以忽略。）电荷随外加电压的变化率。PN）电荷随外加电压r