中物理尺度最小的结构。多晶硅栅的宽度通常是整个硅片上最关键的CD线宽。多晶硅栅结构制作的基本步骤：1、栅氧化层的生长；2、多晶硅淀积；3、第四层掩膜，多晶硅栅；4、多晶硅栅刻蚀。局部互连工艺晶体管以及其他钛硅化物之间布金属连接线，所用到的方法称为局部互联（LI）。形成局部互联氧化硅介质的步骤：1氮化硅化学气相淀积2掺杂氧化物的化学气相淀积3氧化层抛光4第九层掩膜，局部互联刻蚀。制作局部互联金属的步骤：1金属钛淀积（PVD工艺）；2氮化钛淀积；3钨淀积（化学气相淀积工艺平坦化）；4磨抛钨。大马士革：先淀积一层介质薄膜，接下来是化学机械抛光，刻印，刻蚀和钨金属淀积，最后以金属层抛光结束。最终在硅片表面得到一种类似精致的镶嵌首饰或艺术图案。六、个人心得体会：老师的讲解，使我认识和了解了微电子工艺，进一步认识了微电子学科的特点，理论基础的要求，技术指标和发展前景。同时使我更加明确了学习目标，增强了我们对所学专业的热爱。虽然是短短的半天时间，但我们也学到了很多的东西，微电子学是一门发展极为迅速的学科，高集成度、低功耗、高性能、高可靠性是微电子学发展的方向。信息技术发展的方向是多媒体（智能化）、网络化和个体化。要求系统获取和存储海量的多媒体信息、以极高速度精确可靠的处理和传输这些信息并及时地把有
f用信息显示出来或用于控制。所有这些都只能依赖于微电子技术的支撑才能成为现实。超高容量、超小型、超高速、超高频、超低功耗是信息技术无止境追求的目标，是微电子技术迅速发展的动力。微电子技术是当代发展最快的技术之一，是电子信息产业的基础和心脏。如今，微电子技术已成为衡量一个国家科学技术进步和综合国力的重要标志，微电子科学技术的发展水平和产业规模是一个国家经济实力的重要标志。
通过实习，我们有了机会去面对着专业性人员，听着他们对专业性的讲解以及亲自看到了许多的大型通信设备，这些都很有助于我们对知识的理解以及与实际相联系，这些都很益于我们在以后的工作。通过实习，让我体会通信在国民经济发展中所处的地位和所起的作用，加深对微电子工艺在生产生活中的感性认识，了解这些企业生产和运营的规律，学习这些企业组织和管理知识，巩固了所学理论，培养了初步的实际工作能力和专业技术能力，增强了我在电子信息方面的学业背景和对本专业的热爱。
我们也明白了德才兼备的大学生不仅需要广泛的通识教育、扎实的专业理论功底，更需要理论r