成电路工艺基础课程讲述了集成电路制造的基本工艺：扩散、离子注入、氧化、光刻、刻蚀、外延、化学汽象沉积、金属化和钝化等，介绍了这些工艺的基本原理及制造过程。的半导体器件BJT、JFET、MOSFET的物理结构和工作原理，它主要针对半导体器件的主要电参数讲述其测量方法和原理。《集成电路设计与制造实验》包含了四个实验：氧化工艺实验、光刻工艺实验、硼扩散工艺实验和磷扩散工艺实验；并有一周的课程设计：将以上四个工艺实验按集成电路制造工艺流程结合起来，制造出一个集成电路重要的单元双极晶体管并进行击穿特性测试、双极晶体管直流放大特性测试。
3、其次也了解硼扩散工艺实验过程，其基本实验原理为：扩散是微观粒子的一种极为普遍的热运动形式，各种分离器件和集成电路制造中的固态扩散工艺简称扩散，硼扩散工艺是将一定数量的硼杂质掺入到硅片晶体中，以改变硅片原来的电学性质。硼扩散是属于替位式扩散，采用预扩散和再扩散两步扩散法，第一步，预扩散硼杂质浓度分布方程为：NxtNserfc｛x2D1t｝表示恒定表面浓度（杂质在预扩散温度的固溶度），D1为预扩散温度的扩散系数，x表示由表面算起的垂直距离（cm）他为扩散时间。此分布为余误差分布。第二步，主扩散硼再扩散为有限表面源扩散，杂质浓度分布方程为：NxtQex24D2tπD2t，其中Q为扩散入硅片杂质总量：杂质分布为高斯分别。
4、了解了CMOS制作步骤如下：1、双阱工艺；2、浅槽隔离工艺；3、多晶硅栅结构工艺；4、轻掺杂漏（LDD）注入工艺；5、侧墙的形成；6、源漏（SD）注入工艺；7、接触孔的形成；8、局部互连工艺；9、通孔1和金属塞1的形成；10、金属1互连的形成；11、通孔2和金属塞2的形成；12、金属2互连的形成；
f13、制作金属3直到制作压点及合金；14、参数测试。浅槽隔离工艺：浅槽隔离（STI）是在衬底上制作的晶体管有源区之间隔离
区的一种可选工艺。可分为三个主要步骤：槽刻蚀、氧化物填充、氧化物平坦化。槽刻蚀：1、隔离氧化层；2、氮化物淀积；3、第三层掩膜，浅槽隔离；4、STI槽刻蚀。
STI氧化物填充：1、沟槽衬垫氧化硅；2、沟槽CVD氧化物填充。氧化物平坦化：抛光是最有效的一种平坦化技术，STI氧化层抛光氮化物去除的基本步骤如下：1、沟槽氧化物抛光（化学机械抛光）；2、氮化物去除。多晶硅栅结构工艺：晶体管中栅结构的制作是流程当中最关键的一步，因为它包括了最薄的栅氧化层的热生长以及多晶硅栅的刻印和刻蚀，而后者是整个集成电路工艺r