）冷却aSi切割掩膜镀铝测试1老化测试2UV保护层封装成品测试分类包装
下图是以美国EPV公司技术为代表的内联式双结非晶硅电池内部结构示意图：
图2、内联式双结非晶硅电池内部结构示意图
它的生产制造工艺流程为：
S
O2导电玻璃S
O2膜切割清洗预热aSi沉积（PINPIN）冷却aSi切割溅射镀铝Al切割测试1老化测试2封装成品测试分类包装
f2、
内联式非晶硅电池生产工艺过程介绍：
⑴S
O2透明导电玻璃（或AZO透明导电玻璃）规格尺寸：305mm×915mm×3mm、635mm×1245mm×3等要求：方块电阻：6～8Ω□、8～10Ω□、10～12Ω□、12～14Ω□、14～16Ω□等透过率：≥80％膜牢固、平整，玻璃4个角、8个棱磨光（目的是减少玻璃应力以及防止操作人员受伤）
⑵红激光刻划S
O2膜
根据生产线预定的线距，用红激光（波长1064
m）将S
O2导电膜刻划成相互独立的部分，目的是将整板分为若干块，作为若干个单体电池的电极。
激光刻划时S
O2导电膜朝上（也可朝下）
线距：单结电池一般是10mm或5mm，双结电池一般20mm
刻线要求：绝缘电阻≥2MΩ线宽（光斑直经）＜100um
线速＞500mmS
⑶清洗
将刻划好的S
O2导电玻璃进行自动清洗，确保S
O2导电膜的洁净。
⑷装基片
将清洗洁净的S
O2透明导电玻璃装入“沉积夹具”
f基片数量：对于美国Chro
ar公司技术，每个沉积夹具装4片305mm×915mm×3mm的基片，每批次（炉）产出6×4＝24片
对于美国EPV技术，每个沉积夹具装48片635mm×1245mm×3mm的基片，即每批次（炉）产出1×48＝48片
⑸基片预热
将S
O2导电玻璃装入夹具后推入烘炉进行预热。
⑹aSi沉积基本预热后将其转移入PECVD沉积炉，进行PIN（或PINPIN）沉积。
根据生产工艺要求控制：沉积炉真空度，沉积温度，各种工作气体流量，沉积压力，沉积时间，射频电源放电功率等工艺参数，确保非晶硅薄膜沉积质量。
沉积P、I、N层的工作气体P层：硅烷（SiH4）、硼烷（B2H6）、甲烷（CH4）、高纯氩（Ar）、高纯氢（H2）I层：硅烷（SiH4）、高纯氢（H2）N层：硅烷（SiH4）、磷烷（PH3）、高纯氩（Ar）、高纯氢（H2）
各种工作气体配比有两种方法：第一种：P型混合气体，N型混合气体由国内专业特种气体厂家配制提供。第二种：PECVD系统在线根据工艺要求调节各种气体流量配制。
⑺冷却
a温。
Si完成沉积后，将基片装载夹具取出，放入冷却室慢速降
⑻绿激光刻划aSi膜
根据生产预定的线宽以及与S
O2切割线的线间距，用绿激光（波长532
m）将aSi膜刻划穿，目的是让背电极（金属铝）r