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BTS7960智能功率芯片中文资料
BTS7960是NovalithIC家族三个独立的芯片的一部分一是p型通道的高电位场效应晶体管，二是一个
型通道的低电位场效应晶体管，结合一个驱动晶片形成一个完全整合的高电流半桥。所有三个芯片是安装在一个共同的引线框利用芯片对芯片和芯片芯片技术。电源开关应用垂直场效应管技术来确保最佳的阻态。由于p型通道的高电位开关，需要一个电荷泵消除电磁干扰。通过驱动集成技术，逻辑电平输入、电流取样诊断、转换速率调整器，失效发生时间、防止欠电压、过电流、短路结构轻易地连接到一个微处理器上。BTS7960可结合其他的BTS7960形成全桥和三相驱动结构。图框如下：
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下图显示使用的数据表
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21引脚分配
2引脚结构
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上视图是BTS7960Ba
dBTS7960P的引脚结构引脚的定义和功能
引脚的定义和功能
IO
PIN
SYMBOL

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功能接地
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1
GND
2
IN
I
3
INH
I
4，8
OUT
O
5
SR
I
6
IS
O
7
VS

输入，高电位开关、低电位开关是否开启决定
抑制，当设定为低电平进入睡眠状态功率输出转换速率功率开关的转换速率通过SR和GND间连接的电阻调整电流取样诊断电源
应用事例
下图是智能功率芯片BTS7960是应用于电机驱动的大电流半桥高集成芯片
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上图是正常模式和故障模式下电流检测
智能功率芯片BTS7960是应用于电机驱动的大电流半桥高集成芯片，它带有一个P沟道的高边MOSFET、一个N沟道的低边MOSFET和一个驱动Ic，如图1所示。集成的驱动Ic具有逻辑电平输入、电流诊断、斜率调节、死区时间产生
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和过温、过压、欠压、过流及短路保护的功能。BTS7960通态电阻典型值为16mQ，驱动电流可达43A。智能功率芯片BTS7960是应用于电机驱动的大电流半桥高集成芯片，它带有一个P沟道的高边MOSFET、一个N沟道的低边MOSFET和一个驱动Ic，如图1所示。集成的驱动Ic具有逻辑电平输入、电流诊断、斜率调节、死区时间产生和过温、过压、欠压、过流及短路保护的功能。BTS7960通态电阻典型值为16mQ，驱动电流可达43A。BTS7960的引脚Is具有电流检测功能，正常模式下，从Is引脚流出的电流与流经高边MOS管的电流成正比，若RISlkQ，则VISIload／8．5；在故障条件下，从Is引脚流出的电流等于IIS1im约4．5mA，最后的效果是Is为高电平。如图3所示，图3a为正常模式下Is引脚电流输出，图3b为故障条件下IS引脚上的电流输出。
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