计算简并半导体载流子浓度时不能用波尔兹曼统计代替费米统计
C处于低温弱电离区的半导体，其迁移率和电导率都随温度升高而增大
D半导体中，导带电子都处于导带底Ec能级位置
4下面说法正确的是D
。
A空穴是一种真实存在的微观粒子BMIS结构电容可等效为绝缘层电容与半导体表面电容的的并联C稳态和热平衡态的物理含义是一样的D同一种半导体材料中，电子迁移率比空穴迁移率高
5空间实验室中失重状态下生长的GaAs与地面生长的GaAs相比，载流子迁移率要
高，这是因为
B
。
A无杂质污染B晶体生长更完整C化学配比更合理D宇宙射线的照射作用
6半导体中少数载流子寿命的大小主要决定于A
A复合机构B散射机构C禁带宽度D晶体结构
7若某材料电阻率随温度升高而单调下降，该材料是
。
A
。
fA本征半导体B杂质半导体C金属导体D简并半导体
8对于只含一种杂质的非简并ｐ型半导体，费米能级随温度上升而
D
。
A上升B下降C不变D经过一极值后趋近Ei
9GaAs具有微分负电导现象，原因在于在强电场作用下，A。
A载流子发生能谷间散射B载流子迁移率增大C载流子寿命变大D载流子浓度变小
10以下4种不同掺杂情况的N型Ge半导体中，室温下电子迁移率由大到小的顺序是
C
。
a掺入浓度1014cm3的P原子；b掺入浓度1015cm3的P原子；c掺入浓度2×1014cm3的P原子，浓度为1014cm3的B原子；d掺入浓度3×1015cm3的P原子，浓度为2×1015cm3的B原子。
Aabcd
Bbcda
Cacbd
Ddcba
11以下4种Si半导体，室温下功函数由大到小的顺序是
C
。
a掺入浓度1016cm3的B原子；b掺入浓度1016cm3的P原子；c掺入浓度1016cm3的P原子，浓度为1015cm3的B原子；
d纯净硅。
Aabcd
BcdbaCadcbDdabc
12以下4种不同掺杂情况的半导体，热平衡时室温下少子浓度最高的是D
。
A掺入浓度1015cm3P原子的Si半导体；B掺入浓度1014cm3B原子的Si半导体；C掺入浓度1015cm3P原子Ge半导体；D掺入浓度1014cm3B原子Ge半导体。
（已知室温时：Si的本征载流子浓度
i151010cm3，Ge的本征载流子浓度

i241013cm3）
f13直接复合时，小注入的P型半导体的非平衡载流子寿命d决定于B。
1
A
rd
0
B1rdp0
1
C
rdp
D其它
14在金属SiO2p型Si构成的MIS结构中，SiO2中分布的可动正电荷不会影响
C。
A半导体表面势B平带电压C平带电容D器件的稳定性
15不考虑表面态的影响，如需在
型硅上做欧姆电极，以下四种金r