电子科技大学二零九至二零一零学年第一学期期末考试
半导体物理课程考试题B卷（120分钟）考试形式：闭卷课程成绩构成：平时10分，期中5分，实验15
一二三四五六七
考试日期2010年元月18日
分，期末70分
八
九
十
合计
复核人签名
得分
签名
得分
一、填空题（共16分，每空1分）
1简并半导体一般是重掺杂半导体，这时电离杂质对载流子的散射作用不可
忽略。
2处在饱和电离区的N型Si半导体在温度升高后，电子迁移率会下降减小，电阻
率会上升增大。
3电子陷阱存在于P空穴型半导体中。
4随温度的增加，P型半导体的霍尔系数的符号由正变为负
。
5在半导体中同时掺入施主杂质和受主杂质，它们具有杂质补偿的作用，在制
造各种半导体器件时，往往利用这种作用改变半导体的导电性能。
6Z
O是一种宽禁带半导体，真空制备过程中通常会导致材料缺氧形成氧空位，存在
氧空位的Z
O半导体为N电子型半导体。
7相对Si而言，I
Sb是制作霍尔器件的较好材料，是因为其电子迁移率较高
大。
8掺金工艺通常用于制造高频器件。金掺入半导体Si中是一种深能级
杂质，通常起复合中心的作用，使得载流子寿命减小。
9有效质量概括了晶体内部势场对载流子的作用，可通过回旋共振实验来测量。
10某N型Si半导体的功函数WS是43eV，金属Al的功函数Wm是42eV，该半导体和金属接触时的界面将会形成反阻挡层接触欧姆接触。
11有效复合中心的能级位置靠近禁带中心能级本征费米能级Ei。12MIS结构中半导体表面处于临界强反型时，表面少子浓度等于内部多子浓度，表面
反型少子的导电能力已经足够强，称此时金属板上所加电压为开启电压阈值电
压。
f13金属和
型半导体接触形成肖特基势垒，若外加正向偏压于金属，则半导体表面电子势垒高度将降低，空间电荷区宽度将相应地（减少变窄变薄）。
得分二、选择题（共15分，每题1分）
1如果对半导体进行重掺杂，会出现的现象是D
。
A禁带变宽B少子迁移率增大C多子浓度减小D简并化
2已知室温下Si的本征载流子浓度为
i151010cm3。处于稳态的某掺杂Si半导体
中电子浓度
151015cm3，空穴浓度为p151012cm3，则该半导体
A。
A存在小注入的非平衡载流子B存在大注入的非平衡载流子C处于热平衡态D是简并半导体
3下面说法错误的是
D
。
A若半导体导带中发现电子的几率为0，则该半导体必定处于绝对零度
Br