IGBT模块参数详解一IGBT静态参数

VCES：集电极发射极阻断电压
在可使用的结温围栅极发射极短路状态下，允许的断态集电极发射极最高电压。手册里
VCES是规定在25°C结温条件下，随着结温的降低VCES也会有所降低。降低幅度与温度变
化的关系可由下式近似描述：下图所示：文章来源：igbt8jc19html
模块及芯片级的VCES对应安全工作区由
CollectoremittervoltageoftheIGBT
由于模块部杂散电感，模块主端子与辅助端子的电压差值为
，由于部及外
部杂散电感，VCES在IGBT关断的时候最容易被超过。VCES在任何条件下都不允许超出，否
则IGBT就有可能被击穿。

Ptot：最大允许功耗
在Tc25°C条件下，每个IGBT开关的最大允许功率损耗，及通过结到壳的热阻所允许的最
大耗散功率。Ptot可由下面公式获得：
。
Maximumrati
gforPtot
二极管所允许的最大功耗可由相同的方法计算获得。

IC
om：集电极直流电流
在可使用的结温围流过集电极发射极的最大直流电流。根据最大耗散功率的定义，可以由
Ptot的公式计算最大允许集电极电流。因而为了给出一个模块的额定电流，必须指定对应
的结和外壳的温度，如下图所示。请注意，没有规定温度条件下的额定电流是没有意义的。

f
SpecifiedasdatacodeFF450R17ME3
在上式中Ic及VCEsatIc都是未知量，不过可以在一些迭代中获得。考虑到器件的容差，为了计算集电极额定直流电流，可以用VCEsat的最大值计算。
计算结果一般会高于手册值，所有该参数的值均为整数。该参数仅仅代表IGBT的直流行为，
可作为选择IGBT的参考，但不能作为一个衡量标准。

ICRM：可重复的集电极峰值电流
最大允许的集电极峰值电流（Tj≤150°C），IGBT在短时间可以超过额定电流。手册里定义
为规定的脉冲条件下可重复集电极峰值电流，如下图所示。理论上，如果定义了过电流持续
时间，该值可由允许耗散功耗及瞬时热阻Zth计算获得。然而这个理论值并没有考虑到绑定
线、母排、电气连接器的限制。因此，数据手册的值相比较理论计算值很低，但是，它是综
合考虑功率模块的实际限制规定的安全工作区。

RBSOA：反偏安全工作区
该参数描述了功率模块的IGBT在关断时的安全工作条件。如果工作期间允许的最大结温不
被超过，IGBT芯片在规定的阻断电压下可驱使两倍的额定电流。由于模块部杂散电感，模
块安全工作区被限定，如下图所示。随着交换电流的增加，允许的集电极发射极电压需要

f
降额。此外，电压的降额很大程度上依赖于系统的相关参数，诸如DCLi
k的杂散电感r