RC吸收电路参数计算
一、在实际晶闸管电路中常在其两端并联RC串联网络该网络常称为RC阻容吸收电路。
我们知道晶闸管有一个重要特性参数断态电压临界上升率dlvdlt。它表明晶闸管在额定结温和门极断路条件下使晶闸管从断态转入通态的最低电压上升率。若电压上升率过大超过了晶闸管的电压上升率的值则会在无门极信号的情况下开通。即使此时加于晶闸管的正向电压低于其阳极峰值电压也可能发生这种情况。因为晶闸管可以看作是由三个PN结组成。
在晶闸管处于阻断状态下因各层相距很近其J2结结面相当于一个电容C0。当晶闸管阳极电压变化时便会有充电电流流过电容C0并通过J3结这个电流起了门极触发电流作用。如果晶闸管在关断时阳极电压上升速度太快则C0的充电电流越大就有可能造成门极在没有触发信号的情况下晶闸管误导通现象即常说的硬开通这是不允许的。因此对加到晶闸管上的阳极电压上升率应有一定的限制。
为了限制电路电压上升率过大确保晶闸管安全运行常在晶闸管两端并联RC阻容吸收网络利用电容两端电压不能突变的特性来限制电压上升率。因为电路总是存在电感的变压器漏感或负载电感所以与电容C串联电阻R可起阻尼作用它可以防止R、L、C电路在过渡过程中因振荡在电容器两端出现的过电压损坏晶闸管。同时避免电容器通过晶闸管放电电流过大造成过电流而损坏晶闸管。
由于晶闸管过流过压能力很差如果不采取可靠的保护措施是不能正常工作的。RC阻容吸收网络就是常用的保护方法之一。
二、整流晶闸管可控硅阻容吸收元件的选择
电容的选择
C255×10的负8次方×If
If0367Id
Id直流电流值
如果整流侧采用500A的晶闸管可控硅
可以计算C255×10的负8次方×50012525mF
选用25mF1kv的电容器
电阻的选择
R24×535If214856
选择10欧
PR15×pfv×2πfc的平方×10的负12次方×R2
Pfv2u1520
u三相电压的有效值
阻容吸收回路在实际应用中RC的时间常数一般情况下取110毫秒。
小功率负载通常取2毫秒左右R220欧姆1WC001微法400630V。
大功率负载通常取10毫秒R10欧姆10WC1微法6301000V。
fR的选取小功率选金属膜或RX21线绕或水泥电阻大功率选RX21线绕或水泥电阻。
C的选取CBB系列相应耐压的无极性电容器。
看保护对象来区分接触器线圈的阻尼吸收和小于10A电流的可控硅的阻尼吸收列入小功率范畴接触器触点和大于10A以上的可控硅的阻尼吸收列入大功率范畴
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