越基区。（6）两种击穿机理穿通和雪崩击穿。晶体管的三种等效电路或数学模型。EM模型和等效电路对于晶体管的所有工作模式均适用。基区为非均匀掺杂时，应用GP模型很方便。小信号HP模型应用于线性放大电路中的正向有源晶体管。晶体管的截止频率是表征晶体管品质的一个重要参数，它是共发射极电流增益的幅值变为1时的频率。频率响应是EB结电容充电时间、基区渡越时间、集电结耗尽区渡越时间和集电结电容充电时间的函数。双极晶体管不是对称的器件，晶体管有两个N型惨杂区或是两个P型惨杂区，发射区和集电区的掺杂浓度是不一样的，而且这些区域的集合形状可能有很大的不同。双极晶体管中的电流由少子的扩散决定，我们必须确定在稳态下晶体管的三个区中少子的梯度分布。双极晶体管的工作原理是用BE结电压控制集电极电流，集电极电流是从发射区跃过BE结注入到基区，最后到达集电区的多子数量的函数。理想效应晶体管的条件：①均匀掺杂；②小注入；③发射区和基区宽度恒定；④禁带宽度为定值；⑤电流密度为均匀值；⑥所有的结都在非击穿区。造成双极晶体管实际结构复杂的原因：①各端点引线要做在表面上，为了降低半导体的电阻，必须有重掺杂的N型掩埋层；②由于在一片半导体材料上要制造很多双极晶体管，晶体管彼此之间必须隔离起来，因为并不是所有的集电极都在同一个电位上。双极扩散（双极输运）是带负电的电子和带正电的空穴以同一个迁移率或扩散系数一起
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f《微电子器件原理》知识点小结
漂移或扩散。双极输运过程的电中性条件为过剩少子的浓度等于过剩多数载流子的浓度。晶体管截止与饱和相互转换过程的4个时间段：①延迟时间；②上升时间；③存储时间；④下降时间。低频共基极电流增益中三个因子考虑的影响：①发射极注入效率系数考虑了发射区中的少子空穴扩散电流对电流增益的影响；②基区输运系数考虑了基区中过剩少子电子的复合的影响；③复合系数考虑了正偏BE结中的复合的影响。金属_氧化物_半导体场效应晶体管：MOSFET的核心为MOS电容器。与氧化层半导体界面相邻的半导体能带是弯曲的，它由加在MOS电容器上的电压决定。表面处导带和价带相对于费米能级的位置是MOS电容器电压的函数。氧化层半导体界面处的半导体表面可通过施加正偏栅压由p型到
型发生反型，或者通过施加负偏栅压由
型到p型发生反型。因此，在与氧化层相邻处产生了反型层流动电荷。基本MOS场效应原理是由反型层电荷密度r