半导体异质结：轻掺杂半导体上的金属可以与半导体形成整流接触，这种接触称为肖特基势垒二极管。金属与半导体间的理想势垒高度会因金属功函数和半导体电子亲合能的不同而不同。当在
型半导体与金属之间加一个正电压时（即反偏），半导体与金属之间的势垒增加，因此基本上没有载流子的流动。当在金属与
型半导体之间加一个正电压时（即正偏），半导体与金属之间的势垒降低，因此电子很容易从半导体流向金属，这种现象称为热电子发射。肖特基势垒二极管的理想IV关系与p
结二极管的相同。然而，电流值的数量级与p
第1页共8页
f《微电子器件原理》知识点小结
结二极管的不同，肖特基二极管的开关速度要更快一些。另外，肖特基二极管的反向饱和电流比p
结的大，所以达到与p
结二极管一样的电流时，肖特基二极管需要的正偏电压要低。两种不同能隙的半导体材料可以形成半导体异质结。异质结一个有用的特性就是能在表面形成势阱。在与表面垂直的方向上，电子的活动会受到势阱的限制，但电子在其他两个方向上可以自由地流动。对于均匀掺杂的半导体来说，场强是距离的线性函数，在金属与半导体接触处，场强达到最大值。由于金属中场强为零，所以在金属半导体结的金属区中一定存在表面负电荷。任何半导体器件或是集成电路都要与外界接触，这种接触通过欧姆接触实现。欧姆接触即金属与半导体接触，这种接触不是整流接触。半导体材料在整个结构中都是相同的，称为同质结。两种不同的半导体材料组成一个结，称为异质结。双极晶体管：当晶体管工作在正向有源区时，晶体管一端的电流（集电极电流）受另外两个端点所施加的电压（BE结电压）的控制。这就是其基本的工作原理。共基极电流增益是三个因子的函数发射极注入效率系数、基区输运系数和复合系数。发射极注入效率考虑了从基区注入到发射区的载流子，基区输运系数反映了载流子在基区中的复合，复合系数反映了载流子在正偏发射结内部的复合。双极晶体管需要考虑的六个非理想效应：（1）基区宽度调制效应，或者说是厄尔利效应中性基区宽度随BC结电压变化而发生变化，于是集电极电流随BC结或CE结电压变化而变化。（2）大注入效应使得集电极电流CE结电压增加而以低速率增加。（3）发射区禁带变窄效应使得发射区掺杂浓度非常高时发射效率变小。（4）电流集边效应使得发射极边界的电流密度大于中心位置的电流密度。（5）基区非均匀掺杂在基区中感生出静电场，有助于少子渡r