10kg甚至1kg的纳～米卫星实现各种功能的卫星探测和通信r
4微波毫米波器件与电路r
目前构成GaAsIC的主要器件是MESFETHEMT和HBT后两者已成为发展主流GaAsMESFET制作的Ka波段低噪声～MMIC在33GHz下噪声系数为23dB相关增益30dB这结果可与当今GaAsPHEMTr
MMIC的性能相匹配总栅宽为1912∧的mGaAsMESFET在14GHz下输出功率20Wr
片集成技术制作了S波段MMIC接收机此外为了满足下一代雷达和电子战有源相控阵功放模块的技术要求和机载环境等对尺寸重量效率可靠性及环境适应性诸多方面的严格要求提出了微波功率模块MPM的开发计划这也是宽带微波功率放大器的突破性进展MPM是把MMIC驱动放大器真空管功率提升器和电子电源调节器的最佳性能结合起来以模块形式提供系统应用所需的性能并且制造柔性化强将来有可能替代相控阵雷达用的全固态TR模块美国制定的MPM性能指标是618GHz输出功率为50100W～～增益为50dB在21世纪初放大器所面临的技术挑战是瞬时带宽的频率范围一直延伸到1～18GHz1840GHz4075GHz75110GHz和110～～～r
增益619dBPAE为2915TRW公司研制的PHEMTKa波段放大器输出功率5W为3916三菱公司研制的Ka波段大功PAE率高效多栅条HBT在12GHz下输出功率1WPAE为72I
P与GaAs相比击穿电场热导率电子平均速度均更高I
PHEMT已成为毫米波高端应用的支柱产品器件的截止频率max分f青睐有源相控阵雷达中的关键TR模块已是r
～140GHz同时费用降至采用现有设计途径和制造能力所能达到的费用的15到110该计划的技术发展重点包括毫米波功率模块微波SiC高功能放大器和低功率射频电子r
别达340GHz和600GHz代表着三端器件的最高水平I
PHBT有望在大功率低压等方面开拓应用市场拥有更广的应用领域TRW公司制作的011∧的K波段I
PHEMT低噪声m放大器在155GHz下工作获得的小信号增益r
5GaAs超高速集成电路r
世界各国不仅在开发新的电子材料发展先进工艺技术等方面潜心研究而且更注重电路的应用目前GaAs超高速数字集成电路得到了蓬勃发展如GaAsAD转换器A转Dr
为12dB这是目前三端器件中工作频率最高的放大器波段高功率MMIC放大器采用的W是0115∧的I
PHEMT在94GHz下输出功m率130mWPAE为13相关增益4dB是目前3mm端最高的输出功率I
P基HPT分布r
换器GaAs分频器GaAsMUXDMUX及以HBTHEMT为有源器件的超高速集成r