体材料化合物半导体仍然是重要的不可缺的方面特别是在微波毫米波和超高速领域表现出的很强生命力美国继硅VHSIC计划之后实施了以化合物为基础的MIIC计划把工作频率提高到100GHz线M宽达到011∧并带动了异质结技术的发展m使之成为微波毫米波的主流GaAsVHSIC在MIIC计划实施过程中进行了插入研究计M划在电子对抗的射频存储器和频率综合方面实现了更新换代的作用工作频率提高到千兆比特以上在1997年发布的《联合作战科学技降至现在的15和110SiC高功率放大器在尺寸可靠性和寿命周期方面优于SiGaAs固态放大器和电子管发射系统GaAsVHSIC将在ADDA中发挥重要作用第三代半导体材料宽禁带半导体技术在几十年艰苦的研究中没有大的突破进入90年代以后由于SiC单晶体的突破和异质结技术的发展世界范围内掀起研究宽禁带半导体的热潮各国争相制定了发展计划美国