）通信及消费类电子产品等）也加速更新换代；也加速更新换代；硅圆片不仅新一代产品性能、功能大大超过前一代，不仅新一代产品性能、功能大大超过前一代，而且价格的越来越便宜又为电子信息技术的不断推进机器迅速推广应用到各个领域创造了条件，推进机器迅速推广应用到各个领域创造了条件，导致了人类信息化社会的到来。导致了人类信息化社会的到来。由于集成电路栅长度的减小和集成度的增大，长度的减小和集成度的增大，因此必须发展相应的制造技术，即光刻技术、氧化和扩散技术、的制造技术，即光刻技术、氧化和扩散技术、多层布线技术和电容器材料技术。技术。光刻技术光刻技术利用波长利用波长436
m光线，形成亚微米尺寸图形，光线，形成亚微米尺寸图形，光线制造出集成度1M位和位的DRAM。i射线（波制造出集成度位和4M位的。射线（位和位的射线长365
m）曝光设备问世后，可形成半微米尺）曝光设备问世后，寸和深亚微米尺寸的图形，制造出16M位和位和64M寸和深亚微米尺寸的图形，制造出位和位的DRAM。位的。目前，采用目前，采用KrF准分子激光器的光刻设备已经投准分子激光器的光刻设备已经投入实用，可以形成四分之一微米尺寸的图形，入实用，可以形成四分之一微米尺寸的图形，制造出64M位DRAM。采用波长更短的造出位。采用波长更短的ArF激光器激光器的光刻设备也已经投入实用。当然，的光刻设备也已经投入实用。当然，为了实现这一目标，一目标，必须开发出适用的掩膜形成技术和光刻胶材料。胶材料。X射线光刻设备的研制开发工作，已经进行了相射线光刻设备的研制开发工作，射线光刻设备的研制开发工作当的时间，电子束曝光技术和3
m真空紫外线曝当的时间，电子束曝光技术和真空紫外线曝光技术，也在积极开发之中，哪一种技术将会率光技术，也在积极开发之中，先投入实用并成为下一阶段的主流技术，先投入实用并成为下一阶段的主流技术，现在还难以预料。难以预料。蚀刻技术在高密度集成电路制造过程中，氧化膜、在高密度集成电路制造过程中，氧化膜、多晶硅与布线金属的蚀刻技术，随着特征多晶硅与布线金属的蚀刻技术，尺寸的不断缩小将变得越来越困难。尺寸的不断缩小将变得越来越困难。显然，如果能够研制出一种可以产生均匀显然，的平面状高密度等离子源的技术，的平面状高密度等离子源的技术，就会获得更为理想的蚀刻效果。得更为理想的蚀刻效果。利用利用CER（电子回旋共振r