提高转换效率。只有当VDD电压下降到低于预先设定的值且COMP电压处在适当状态的时候，DRV驱动才处于打开状态，否则，DRV驱动将处于关闭状态来最大程度的降低开关损耗和待机损耗。振荡器开关频率固定在65kHz，PCB设计简化。电流检测和前沿消隐M5576是电流模式PWM控制，提供逐周期电流限制。开关电流是通过一个电阻接到SEN引脚来检测。内部的前沿消隐电路会屏蔽掉电压尖峰内部功率MOSFET的初始状态，由于缓冲二极管反向恢复电流和DRV功率MOSFET浪涌电流造成的检测电压尖峰，导致电流限制比较器被屏蔽，无法关断功率MOSFET。PWM的占空比是由SEN电流检测输入电压和COMP输入电压计算确定的。内部同步斜坡补偿内部斜坡补偿电路是将一个斜坡电压加入SEN引脚输入电压来帮忙生成PWM信号，它大大提高了在CCM下的闭环稳定性，防止次谐波振荡，从而降低输出纹波电压。驱动功率MOSFET是由专用DRV驱动功率开关驱动控制。DRV驱动强度越弱，功率管的导通损耗和MOSFET开关损耗就越大；而DRV驱动越强，直接影响EMI性能。一个很好的权衡方法为通过内置的图腾柱栅驱动设计，适当的驱动能力和DRV设计合适的死区时间来实现控制。通过这种设计很容易达到良好的电磁系统的设计和降低空载损耗的目的。保护控制好的电源系统的可靠性需要有自动恢复特性的保护功能，包括逐周期电流限制（OCP），过载保护（OLP）和VDD的欠压保护（UVLO）；无锁存关闭功能还包括过温保护（OTP），固定或可调的VDD电压保护（OVP）。在全电范围内，OCP被补偿后达到恒定输出功率。在过载条件下，当COMP输入电压超过TD_PL功率极限阈值时，控制电路会关闭转换器。只有在输入电压低于阈值功率极限后才重新启动。
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fSOT236封装外形尺寸图丝印描述
型号M5576SR
封装SOT236
描述3000Reel
项目AA1A2bcDEE1ee1LL1θ
尺寸（MM）最小105000001050030001002820150026500950TYP18000700REF03000
0
尺寸（英寸）最大最小004100000041001200040111005901040037TYP00710028REF00120
0
最大004900040045001600080119006701160079002480
12500100115004000200302017002950200006008
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