结束（恢复）上拉PMOS启动IVDD10mASEN03VCOMP3VVDD升高直到DRV时钟关闭3026
VDDUVLOOFF1V，测试流入VDD的电流
参数
测试条件
最小
典型
最大
单位
51481459155133228
202510165
uAmAVVV
VCOMP3V
3430
VV
反馈输入部分（COMPPi
）VCOMP_Ope
最大占空比Vref_gree
Vref_burst_HVref_burst_LICOMP_ShortVTH_PLTD_PLZCOMP_IN电流检测输入（SENpi
）SSTT_bla
ki
gTD_OCVTH_OCVocp_clampi
g振荡器Fosc振荡频率VDD14VCOMP3VS606570KHZ软启动时间前沿消隐时间过载延迟时间内部电流限制阈值电压与零占空比SEN电压嵌位从过流产生到DRV引脚关闭422012007509ms
s
sVVVCOMP开环电压MaxdutycycleVDD14VCOMP3VVSEN03V进入绿色模式的阈值进入跳周期模式的阈值离开跳周期模式的阈值COMP引脚短路电流过载时的COMP电压过载延迟时间输入阻抗80测量COMP短路到地的电流47558014068058043688169685VVVVmAVmSKΩ
5
fEN03VΔf_OSCf_shuffli
gF_Burst栅驱动VOLVOHV_Clampi
gT_rT_f过温保护IOTPVOTPVOTP_FLVth_OVPOTP引脚输出电流OTP阈值电压OTP引脚悬空电压外部OVP阈值电压9509510012840105105μAVVV输出低电平输出高电平输出钳位电压输出上升时间输出下降时间1V12VCL1000pF12V1VCL1000pFVDD14V，IO6mAVDD14V，IO5mA612175851VVV
s
s频率抖动抖频跳周期模式频率43222HzKHz
应用信息
M5576是一款高集成度、高性能、电流模式PWM控制芯片，离线式ACDC反激拓扑结构，具备低待机功耗和低成本优点。扩展模式大大降低了待机功耗，方案设计适应国际节能的要求。启动电流和启动控制
M5576上电后，通过整流后电压为连接到VDD脚的接地电容充电，当VDD脚的电压高于UVLO阈
值时，芯片迅速启动。M5576启动电流非常低，高阻值启动电阻可减少功率损耗，并能在应用中稳定可靠的启动。工作电流M5576工作电流低至18mA。扩展突发模式能够实现高效率和低工作电流。软启动M5576上电后，在芯片启动期间，内部4ms的软启动来降低启动时的应力。当VDD达到VDD_OFF，SEN尖峰电压由015V逐渐升高增至最大。每次重启后都会重新软启动。频率抖动干扰的改进M5576集成了频率抖动（开关频率调制）功能进行扩频，最大限度地降低了EMI带宽，简化了系统设计。跳周期模式操作
6
f在轻载或空载状态，开关电源的功耗来源于开关MOSFET的损耗、变压器磁心损耗和启动电路损耗，功率损耗的大小在于开关频率的比例。较低的开关频率，能降低功率损耗，从而节约了能源。开关频率在空载或轻载条件下自行调节，降低开关频率在轻载、空载的情况下可以r