ProcessTech
ology（WaferSaw相关）
AWaferDici
gSawProcess
1工程概要
半导体组装Assembly第一道工序，将WaferFabricatio
工程中所制成出的Wafer使用Diamo
dBladeWheel，并Cutti
g其后分离为各个Die的工程
2Wafer结构
AWafer直径Wafer由2”4”5”6”等直径，现在逐渐增加其直径，目前流行以8”Wafer为主
Wafer直径逐渐增加理由为增加Wafer直径时，其Wafer面积与直径成比例，结果goodDie数量也比例增大而增加
BWafer结构名称
Gooddie
Sawstreet
Scribeli
e
Glassivatio
overlap
I
kdie
Waferflat
Waferdia
Bo
di
gpad
fBDIWater及CO2Bubbler原理
1概要
组装ICLSIVLSI等工程中，超纯水ultraPureWater使用在WaferSawi
g时所发生的摩擦力的祛除及Clea
i
g时的必须品，此时纯水程度AdegreeofPurity尽量接近纯粹的水这是另一面祛除不了由于高电阻17megaOhm左右而DIWater喷射孔的highPressure和应clea
i
g的Wafer之间所发生的叫Crova的静电此静电对chip内部引起静电损伤及在Bo
di
gPad表面由Silico
Dust引起的污染造成Bo
dLift问题等并且由流动电位发生而引起Alumi
um膜的部分溶解电器分解根据Customer解决此类问题，超纯水内溶解CO2Carbo
DioxideGas后适当控制电阻特别由ElectrostaticSe
sitiveDevice成品率品质及信赖度向上而其要求逐渐增加
2CO2Bubbler原理
CO2Gas注入在超纯水DIWater时，CO2被容易溶解，并解离为氢离子和重碳酸离子，其离子作用为控制静电及流动电位的发生
H2OCO2
H2CO3
HCO3
HHCO3
此时0110megaOhm的PureWater电阻防止StaticCharge注意此时在CO2Gas导入灰尘等不纯物时不可以，并且由CO2Gas溶解率太高而CO2注入太多的话，PH就减少而Alumi
umMetaldamage及Wheel寿命减少
如果DIWater电阻为01Megaohmcm以下时Water的PH为45，并其数据变短Dici
gWheel寿命，并可能引起VLSI电路的Corrosio
腐蚀或Erosio
侵蚀
f3非电阻和CO2浓度PH关系
CO2PPM0000800016000250003400045000560006800080000940010800293005500087301258017030220402761033730403913499278134679770361984521310391681042096382556359620422123038374997558543768447279115300961513971119258654
RESISTANCEMOHMCM
17586168531608915314145461379613076123911174511139
70034959380730802583222219491736156407850524039303140262022501970175015700790052003900310026002200200017
PH697693690686683680677674671668645630618609601594589584579549532519509501495489484479449432419409401395389334
HHCOPPM000100020003r