成电路外部输入一路送至死区时间比较器一路送往误差放大器的输入端。
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TL494内部电路方框图
图28基于TL494的脉冲发生器TL494电路设计
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图29电力场效应晶体管MOSFET随着信息电子技术与电力电子技术在发展的基础上相结合形成了高频化、全控型、采用集成电路制造工艺的电力电子器件其典型代表就是电力场效应晶体管MOSFET1电力场效应晶体管特点
电力场效应晶体管简称电力PowerMosfet。特点是用栅极电压来控制漏极电流驱动电路简单需要的驱动功率小开关速度快工作频率高热稳定性好。可是电流容量小耐压低一般适用于功率不超过10kW的电源电子装置。2MOSFET的结构和工作原理
电力MOSFET的种类按导电沟道可分为P沟道和N沟道图16所示为N沟道结构。电力MOSFET的工作原理是在截止状态漏源极间加正电源栅源极间电压为零。P基区与N漂移区之间形成的PN结反偏漏源极之间无电流流过。在导电状态即当UGS大于开启电压或阈值电压UT时栅极下P区表面的电子浓度将超过空穴浓度使P型半导体反型成N型而成为反型层该反型层形成N沟道而使PN结消失漏极和源极导电。
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图29内部结构断面示意图图210电气图形符号MOSFET开关时间在10～100
s之间工作频率可达100kHz以上是电力电子器件中最高的。由于是场控器件静态时几乎不需输入电流。但在开关过程中需对输入电容充放电仍需一定的驱动功率。开关频率越高所需要的驱动功率越大。总电路设计图
25过压过流保护原理与设计
图211
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1过电压保护过压保护要根据电路中过压产生的不同部位加入不同的保护电
路当达到定电压值时自动开通保护电路使过压经过保护电路形成通路消耗过压储存的电磁能量从而使过压的能量不会加到主开关器件上保护了电力电子器件。
为了达到保护效果能够使用阻容保护电路来实现。将电容并联在回路中当电路中出现电压尖峰电压时电容两端电压不能突变的特性能够有效地抑制电路中的过压。与电容串联的电阻能消耗掉部分过压能量同时抑制电路中的电感与电容产生振荡过电压保护电路如图212所示。
图212RC阻容过电压保护电路图2过电流保护
当电力电子电路运行r