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f2、国内半导体晶圆厂迎来新浪潮，半导体设备率先受益21、全球半导体行业向大陆转移211、摩尔定律放缓，带来成本压力
物理极限制约摩尔定律发挥作用。摩尔定律由英特尔创始人戈登摩尔提出，当价格不变时，集成电路上可容纳的元器件数目，约每隔1824个月便会增加一倍，并伴随着性能的提高和成本的下降，从而也要求集成电路尺寸不断变小。摩尔定律可以用工艺节点数值来描述，如130
m、90
m、65
m、45
m、32
m、22
m、14
m、10
m，即约为以07为比的等比数列。2010年，工艺节点达到22
m到目前工艺节点才达到10
m及以下，实现摩尔定律的压力不断加大。这里的尺寸，在22
m以前，通常指晶体管栅极的最小线宽，也称为沟道长度，通常与晶体管尺寸相当。沟道越短，晶体管尺寸越小，可容纳的晶体管数目越多，集成电路的集成度越高、功能越强。但在22
m节点之后，二者并不相等。英特尔的14
m工艺的晶体管，沟道长度其实为20
m。这主要基于两个原因，第一，如果将沟道长度缩小到10
m，晶体管的电流模型便不再适用；第二是“短沟道效应”，尺寸太小导致内部有很多电场上的相互干扰，使得栅极电压不能有效关闭晶体管，产生漏电流，浪费大量功耗。图22：摩尔定律放缓
摩尔定律放缓使得行业内呈现SOC和SIP两种发展路径。一是延续摩尔定律，将不同功能的集成电路整合在一颗芯片上，称为SOC，系统级芯片；二是超越摩尔定律，从封装角度出发，将多种功能芯片，包括处理器、存储
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f器等集成在一个封装内，这方面产品包括模拟RF器件、无源器件、电源管理器件等。随着SOC开发成本越来越高，SIP逐渐得到更多的重视。图23：延续摩尔定律VS超越摩尔定律
表4：SOC与SIP对比介绍
组合拳拯救摩尔定律，工艺制程节点将继续缩小。龙头厂商正在积极布局先进工艺制程，根据ICI
sights公布的技术路线图，国际龙头厂商对半导体工艺的研究已经到了10
m以下。新技术、新材料的开发和应用将推动半导体工艺进一步发展。光刻机是制造工艺中的重要设备，现有工艺无法采用193
m以下的更小波长的光源。因此，业界先后开发浸入式光刻、相位掩模等支撑60
m以来的所有技术节点的进步，业界普遍认为7
m是深紫外（DUV）技术的极限。下一代技术是极紫外（EUV）的光刻技术，其光源降到了13
m，该技术也在持续突破中。此外，新材料也是业界关注的重点，如在连接晶体管的材料上，通过石墨烯晶体与铜线结合的复合材料代替铜线抑制电迁移，降低电阻以承载更多的电流，提高芯片性能。
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f表5：龙头r