为12×102，请根据结构与性质的关系解释；1○H2SeO4和H2SeO3第一步电离程度大于第二部电离的原因：______；2○H2SeO4和H2SeO3酸性强的原因：____________；（6）Z
S在荧光体、光导体材料、涂料、颜料等行业中应用广泛。立方Z
S晶体结构如下图所示，其晶胞边长为5400pm，密度为_________gcm（列式并计算），a位置S离子与b位置Z
2离子之间的距离为_____pm（列式表示）。
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f7．（2013年全国新课标理综37）化学选修3物质结构与性质（15分）化学选修3物质结构与性质15分硅是重要的半导体材料，构成了现代电子工业的基础。回答下列问题1基态Si原子中，电子占据的最高能层符号为、电子数为2硅主要以硅酸盐、。等化合物的形式存在于地壳中。相结合，，该能层具有的原子轨道数
3单质硅存在与金刚石结构类似的晶体，其中原子与原子之间以其晶胞中共有8个原子，其中在面心位置贡献个原子。
4单质硅可通过甲硅烷SiH4分解反应来制备。工业上采用Mg2Si和NH4CI在液氨介质中反应制得SiH4，该反应的化学方程式为5碳和硅的有关化学键键能如下所示，简要分析和解释下列有关事实。
①硅与碳同族，也有系列氢化物，但硅烷在种类和数量上都远不如烷烃多，原因是
②SiH4的稳定性小于CH4，更易生成氧化物，原因是
6在硅酸盐中，
四面体如下图a通过共用顶角氧离子可形成岛状、链状、层
状、骨架网状四大类结构型式。图b为一种无限长单链结构的多硅酸根；其中Si原子的杂化形式为。Si与O的原子数之比为化学式为
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